N-Channel MOSFET, 2.9 A, 800 V, 3-Pin DPAK Vishay SIHD2N80AE-GE3

RS Stock No.:: 188-4982
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHD2N80AE-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

N-Channel MOSFET, 2.9 A, 800 V, 3-Pin DPAK Vishay SIHD2N80AE-GE3

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each: (In a Pack of 10)

THB25.612

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB27.405

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

สินค้าหมดชั่วคราว (Temporarily out of stock) - จะเป็นแบ๊คออเดอร์จัดส่ง (back order for despatch) 07/03/2025, จัดส่งภายใน (delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Units	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค**
10 - 490	THB25.612	THB256.12
500 - 990	THB24.972	THB249.72
1000 +	THB24.588	THB245.88

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 188-4982
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHD2N80AE-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

Datasheet SIHD2N80AE-GE3

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	2.9 A
Maximum Drain Source Voltage	800 V
Package Type	DPAK (TO-252)
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	2.9 Ω
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Maximum Power Dissipation	62.5 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	±30 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Length	6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs	7 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip	1
Width	6.22mm
Height	2.25mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Forward Diode Voltage	1.2V

N-Channel MOSFET, 2.9 A, 800 V, 3-Pin DPAK Vishay SIHD2N80AE-GE3

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง