Vishay TrenchFET Type N-Channel Power MOSFET, 2.9 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2302DDS-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*

THB276.925

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB296.30

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
สต็อกสุดท้ายของ RS
  • เพิ่มอีก 100 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
  • 75 ชิ้นสุดท้ายส่งจากวันที่ 05 มกราคม 2569
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
25 - 725THB11.077THB276.93
750 - 1475THB10.80THB270.00
1500 +THB10.634THB265.85

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
152-6358
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SI2302DDS-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

2.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

SOT-23

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.075Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

3.5nC

Maximum Power Dissipation Pd

0.86W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±8 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21, RoHS

Height

1.02mm

Length

3.04mm

Width

1.4 mm

Automotive Standard

No

Halogen-free

TrenchFET® Power MOSFET

100 % Rg Tested

APPLICATIONS

Load Switching for Portable Devices

DC/DC Converter

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง