Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET, 2.9 A, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 BSP320SH6327XTSA1
- RS Stock No.:
- 753-2810
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSP320SH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 10 ชิ้น)*
THB233.57
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB249.92
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- เพิ่มอีก 50 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
- 300 ชิ้นสุดท้ายส่งจากวันที่ 05 มกราคม 2569
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 10 - 240 | THB23.357 | THB233.57 |
| 250 - 490 | THB22.774 | THB227.74 |
| 500 + | THB22.423 | THB224.23 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 753-2810
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSP320SH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 2.9A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | SIPMOS | |
| Package Type | SOT-223 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 120mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 0.95V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.8W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 9.7nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 6.5mm | |
| Width | 3.5 mm | |
| Height | 1.6mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 2.9A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series SIPMOS | ||
Package Type SOT-223 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 120mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 0.95V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.8W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 9.7nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 6.5mm | ||
Width 3.5 mm | ||
Height 1.6mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 BSP613PH6327XTSA1
- Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 BSP318SH6327XTSA1
- Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 BSP295H6327XTSA1
- Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-223