Vishay SiSS92DN N-Channel MOSFET, 12.3 A, 250 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSS92DN-T1-GE3

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB381.10

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB407.80

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 02 สิงหาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
10 - 740THB38.11THB381.10
750 - 1490THB37.158THB371.58
1500 +THB36.585THB365.85

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
188-4960
Distrelec หมายเลขบทความ:
304-32-538
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SiSS92DN-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

12.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

250V

Series

SiSS92DN

Package Type

PowerPAK 1212

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

190mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

10.4nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

65.8W

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.78mm

Width

3.3mm

Standards/Approvals

No

Length

3.3mm

Automotive Standard

No

N-Channel 250 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® with ThunderFET technology optimizes balance of RDS(on), Qg, Qsw, and Qoss

Leadership RDS(on) and RDS-Coss FOM

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง