N-Channel MOSFET, 12.3 A, 250 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8S Vishay SiSS92DN-T1-GE3

RS Stock No.:: 188-4908
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiSS92DN-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

N-Channel MOSFET, 12.3 A, 250 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8S Vishay SiSS92DN-T1-GE3

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each (On a Reel of 3000)

THB19.835

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB21.223

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

สินค้าหมดชั่วคราว (Temporarily out of stock) - จะเป็นแบ๊คออเดอร์จัดส่ง (back order for despatch) 17/06/2025, จัดส่งภายใน (delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

Units	ต่อหน่วย	ต่อม้วน**
3000 - 3000	THB19.835	THB59,505.00
6000 - 9000	THB19.24	THB57,720.00
12000 +	THB18.663	THB55,989.00

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 188-4908
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiSS92DN-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

Datasheet SiSS92DN-T1-GE3

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	12.3 A
Maximum Drain Source Voltage	250 V
Package Type	PowerPAK 1212-8S
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	8
Maximum Drain Source Resistance	190 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Maximum Power Dissipation	65.8 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	±20 V
Number of Elements per Chip	1
Typical Gate Charge @ Vgs	10.4 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Length	3.3mm
Width	3.3mm
Forward Diode Voltage	1.2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	0.78mm

N-Channel MOSFET, 12.3 A, 250 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8S Vishay SiSS92DN-T1-GE3

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง