Vishay SiSS92DN N-Channel MOSFET, 12.3 A, 250 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSS92DN-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 188-4908
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SiSS92DN-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB59,505.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB63,669.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 02 สิงหาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB19.835 | THB59,505.00 |
| 6000 - 9000 | THB19.24 | THB57,720.00 |
| 12000 + | THB18.663 | THB55,989.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 188-4908
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SiSS92DN-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 12.3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 250V | |
| Package Type | PowerPAK 1212 | |
| Series | SiSS92DN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 190mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 10.4nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 65.8W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 3.3mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 0.78mm | |
| Width | 3.3mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 12.3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 250V | ||
Package Type PowerPAK 1212 | ||
Series SiSS92DN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 190mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10.4nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 65.8W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 3.3mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 0.78mm | ||
Width 3.3mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel 250 V (D-S) MOSFET.
TrenchFET® with ThunderFET technology optimizes balance of RDS(on), Qg, Qsw, and Qoss
Leadership RDS(on) and RDS-Coss FOM
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SiSS92DN N-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSS92DN-T1-GE3
- Vishay SiSS76LDN N-Channel MOSFET 70 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSS76LDN-T1-GE3
- Vishay SiSHA10DN N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISHA10DN-T1-GE3
- Vishay Common Drain TrenchFET Gen IV 2 N-Channel Power MOSFET 25 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay Common Drain TrenchFET Gen IV 2 N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay SiS N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISD5300DN-T1-GE3
- Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISA04DN-T1-GE3
- Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISF12EDN-T1-GE3