Vishay IRFBE30 Type N-Channel Power MOSFET, 4.1 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRFBE30PBF

RS Stock No.:: 178-0818
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFBE30PBF
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay IRFBE30 Type N-Channel Power MOSFET, 4.1 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRFBE30PBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB3,052.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB3,266.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

1,250 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
50 - 50	THB61.05	THB3,052.50
100 - 150	THB59.723	THB2,986.15
200 +	THB58.395	THB2,919.75

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 178-0818
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFBE30PBF
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	Power MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	4.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	800V
	Package Type	TO-220AB
	Series	IRFBE30
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	3Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	78nC
	Maximum Power Dissipation Pd	125W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.8V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	10.41mm
	Height	9.01mm
	Width	4.7mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type Power MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 4.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 800V
	Package Type TO-220AB
	Series IRFBE30
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 3Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 78nC
	Maximum Power Dissipation Pd 125W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.8V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 10.41mm
	Height 9.01mm
	Width 4.7mm
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet

ล็อกอินเพื่อดูโมเดล CAD

Vishay IRFBE30 Series Power MOSFET, 800V Drain‑Source Voltage, 4.1A Continuous Drain Current - IRFBE30PBF

This power MOSFET is a high-voltage N-channel transistor designed for switching and amplification tasks in demanding electronic systems. It operates across a broad temperature span and is supplied in a through-hole TO-220AB package with three pins, making it suitable for serviceable power designs where thermal handling and ease of mounting are priorities.

Features and Benefits:

• 800V drain-source rating enables high-voltage switching
• 4.1A continuous drain current supports moderate load currents
• 125W power dissipation allows substantial heat handling
• 3Ω maximum Rds(on) simplifies drive requirements at low switching speeds
• 78nC typical gate charge reduces gate-drive energy demands
• 20V gate-source limit protects gate under normal control voltages

Applications

• Suitable for high-voltage power supplies and converters
• Ideal for switch-mode power in instrumentation
• Used with discrete linear regulators requiring high Vds
• Can be used for industrial motor control at moderate currents
• Suitable for through-hole prototypes and repair work

What temperature extremes can it withstand in operation?

It is specified to operate from -55°C up to 150°C, supporting applications exposed to wide ambient variations.

How is the component mounted and connected on a circuit?

It uses a through-hole TO-220AB package with three pins for straightforward PCB mounting and conventional heatsinking attachment.

What gate-drive considerations should be observed?

Keep the gate-drive amplitude within a 20V maximum to avoid exceeding the gate-source voltage rating and design drive circuitry to supply gate charge around 78nC for effective switching.

What type of conduction mode does it employ?

It is an enhancement-mode N-channel device, requiring a positive gate voltage relative to source to conduct.