Vishay IRFBE Type N-Channel MOSFET, 4.1 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB2,236.30

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB2,392.85

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 1,500 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
50 - 50THB44.726THB2,236.30
100 - 150THB43.754THB2,187.70
200 +THB42.781THB2,139.05

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
178-0818
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRFBE30PBF
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

4.1A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

TO-220

Series

IRFBE

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

78nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.8V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

10.41mm

Height

9.01mm

Width

4.7 mm

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง