Vishay IRFBE30 Type N-Channel Power MOSFET, 4.1 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB

RS Stock No.:: 178-0818
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFBE30PBF
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay IRFBE30 Type N-Channel Power MOSFET, 4.1 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB2,570.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB2,750.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 1,350 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 22 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
50 - 50	THB51.41	THB2,570.50
100 - 150	THB50.292	THB2,514.60
200 +	THB49.175	THB2,458.75

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 178-0818
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFBE30PBF
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	4.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	800V
	Package Type	TO-220AB
	Series	IRFBE30
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	3Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	78nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	125W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Forward Voltage Vf	1.8V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Length	10.41mm
	Height	9.01mm
	Width	4.7mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 4.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 800V
	Package Type TO-220AB
	Series IRFBE30
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 3Ω
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 78nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 125W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Forward Voltage Vf 1.8V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Length 10.41mm
	Height 9.01mm
	Width 4.7mm
	Automotive Standard No

Datasheet

ล็อกอินเพื่อดูโมเดล CAD

Vishay IRFBE30 Series Power MOSFET, 800V Drain Source Voltage, 4.1A Continuous Drain Current - IRFBE30PBF

This power MOSFET is a through‑hole N‑channel transistor designed for switching and power control in industrial electronics. It operates as an enhancement‑mode device suitable for high‑voltage applications, offering a combination of voltage handling and gate‑drive capability for demanding electrical systems.

Features and Benefits:

• 800V drain‑source voltage enables high‑voltage switching applications • 4.1A continuous drain current supports moderate load currents • 3 Ω maximum Rds reduces current loss during conduction • 78 nC typical gate charge allows predictable switching behaviour • 125W power dissipation manages thermal stress in power circuits • -55 °C to 150 °C operating range endures wide temperature extremes

Applications

• Suitable for high‑voltage power supplies and converters • Ideal for industrial motor drive switching stages • Used for solid‑state relay and protection circuitry • Can be used for load switching in automation panels

What gate voltage limits should I observe during design?

Gate drive must remain within ±20V maximum relative to source to prevent gate‑oxide stress.

How should thermal management be approached on a PCB?

Use a heatsink on the TO‑220AB package or a thermally conductive mounting solution to dissipate up to 125W of power under rated conditions.

What switching characteristics affect EMI in my design?

The typical gate charge of 78 nC at the specified gate drive influences rise and fall times, impacting switching transitions and electromagnetic emissions.

Is this device suitable for surface‑mounting techniques?

It is supplied in a TO‑220AB through‑hole package intended for mechanical mounting and conventional through‑hole assembly.