Vishay SiSS05DN Type P-Channel MOSFET, 108 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSS05DN-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB426.11

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB455.94

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 16 กรกฎาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
10 - 740THB42.611THB426.11
750 - 1490THB41.547THB415.47
1500 +THB40.907THB409.07

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
188-5013
Distrelec หมายเลขบทความ:
304-38-851
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SiSS05DN-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

108A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAK 1212

Series

SiSS05DN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

5.8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

65.7W

Forward Voltage Vf

-1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

76nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.78mm

Standards/Approvals

No

Length

3.3mm

Automotive Standard

No

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV p-channel power MOSFET

Provides exceptionally low RDS(on) in a compact package that is thermally enhanced

Enables higher power density

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง