DiodesZetex Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET, 9.1 A, 60 V Enhancement, 8-Pin VDFN DMT6018LDR-13
- RS Stock No.:
- 182-7493
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMT6018LDR-13
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB246.91
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB264.19
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 29,980 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 2490 | THB24.691 | THB246.91 |
| 2500 - 4990 | THB24.073 | THB240.73 |
| 5000 + | THB23.703 | THB237.03 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 182-7493
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMT6018LDR-13
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 9.1A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | VDFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 26mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 0.75V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 6.2nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | 150°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.9W | |
| Maximum Operating Temperature | -55°C | |
| Transistor Configuration | Dual | |
| Standards/Approvals | J-STD-020, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS | |
| Length | 3.05mm | |
| Height | 0.8mm | |
| Width | 3.05 mm | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 9.1A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type VDFN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 26mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 0.75V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.2nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature 150°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.9W | ||
Maximum Operating Temperature -55°C | ||
Transistor Configuration Dual | ||
Standards/Approvals J-STD-020, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS | ||
Length 3.05mm | ||
Height 0.8mm | ||
Width 3.05 mm | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- DiodesZetex Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin VDFN
- DiodesZetex Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerDI5060
- DiodesZetex Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerDI5060 DMTH6016LPD-13
- DiodesZetex Dual DMT Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin VDFN-3030
- DiodesZetex Dual DMT Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin VDFN-3030 DMT3009UDT-7
- DiodesZetex Dual 2 Type P-Channel Power MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin UDFN
- DiodesZetex Dual 2 Type N-Channel MOSFET 8-Pin PowerDI5060-8
- DiodesZetex Dual DMN2024UFX 1 Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 4-Pin VDFN