DiodesZetex Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET, 9.1 A, 60 V Enhancement, 8-Pin VDFN DMT6018LDR-13

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
182-7493
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
DMT6018LDR-13
ผู้ผลิต:
DiodesZetex
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

DiodesZetex

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

9.1A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

VDFN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

26mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.2nC

Minimum Operating Temperature

150°C

Maximum Power Dissipation Pd

1.9W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

0.75V

Maximum Operating Temperature

-55°C

Transistor Configuration

Dual

Height

0.8mm

Standards/Approvals

J-STD-020, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS

Length

3.05mm

Width

3.05 mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.

Low On-Resistance

Low Input Capacitance

Fast Switching Speed

Low Input/Output Leakage

Applications

Power Management Functions

Analog Switch

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง