DiodesZetex Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET, 33.2 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerDI5060

RS Stock No.:: 182-6944
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: DMTH6016LPD-13
ผู้ผลิต:: DiodesZetex

DiodesZetex Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET, 33.2 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerDI5060

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB46,097.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB49,325.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 27 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
2500 - 2500	THB18.439	THB46,097.50
5000 - 7500	THB17.886	THB44,715.00
10000 +	THB17.35	THB43,375.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 182-6944
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: DMTH6016LPD-13
ผู้ผลิต:: DiodesZetex

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	DiodesZetex
	Channel Type	Type N
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	33.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	PowerDI5060
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	28mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	8.4nC
	Minimum Operating Temperature	175°C
	Maximum Power Dissipation Pd	37.5W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	0.7V
	Maximum Operating Temperature	-55°C
	Transistor Configuration	Dual
	Height	1.05mm
	Width	4.95 mm
	Length	5.85mm
	Standards/Approvals	AEC-Q101, J-STD-020, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand DiodesZetex
	Channel Type Type N
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 33.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type PowerDI5060
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 28mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8.4nC
	Minimum Operating Temperature 175°C
	Maximum Power Dissipation Pd 37.5W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf 0.7V
	Maximum Operating Temperature -55°C
	Transistor Configuration Dual
	Height 1.05mm
	Width 4.95 mm
	Length 5.85mm
	Standards/Approvals AEC-Q101, J-STD-020, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet DMTH6016LPD-13

COO (Country of Origin):: CN

This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it deal for high-efficiency power management applications.

Rated to +175° C – Ideal for High Ambient Temperature

Environments

High Conversion Efficiency

Low Input Capacitance

Fast Switching Speed

Totally Lead-Free

Halogen and Antimony Free. “Green” Device.

Engine Management Systems

Body Control Electronics

DCDC Converters

DiodesZetex Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET, 33.2 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerDI5060

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง