DiodesZetex Dual 2 Type P-Channel Power MOSFET, 3.8 A, 20 V Enhancement, 6-Pin UDFN
- RS Stock No.:
- 182-6913
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMP2075UFDB-7
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB19,281.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB20,631.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 03 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB6.427 | THB19,281.00 |
| 6000 - 9000 | THB6.234 | THB18,702.00 |
| 12000 + | THB6.047 | THB18,141.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 182-6913
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMP2075UFDB-7
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 3.8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Package Type | UDFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 137mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.4W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 8 V | |
| Minimum Operating Temperature | 150°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 8.8nC | |
| Forward Voltage Vf | -0.7V | |
| Transistor Configuration | Dual | |
| Maximum Operating Temperature | -55°C | |
| Standards/Approvals | J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0 | |
| Height | 0.55mm | |
| Width | 2.07 mm | |
| Length | 2.07mm | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 3.8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Package Type UDFN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 137mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.4W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V | ||
Minimum Operating Temperature 150°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8.8nC | ||
Forward Voltage Vf -0.7V | ||
Transistor Configuration Dual | ||
Maximum Operating Temperature -55°C | ||
Standards/Approvals J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0 | ||
Height 0.55mm | ||
Width 2.07 mm | ||
Length 2.07mm | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- DiodesZetex Dual 2 Type P-Channel Power MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin UDFN DMP2075UFDB-7
- DiodesZetex Dual 2 Type N-Channel MOSFET 6-Pin UDFN-2020
- DiodesZetex Dual 2 Type N 4.6 A 6-Pin TSOT
- DiodesZetex Dual 2 Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin DFN
- DiodesZetex Dual 2 Type N 4 A 6-Pin TSOT
- DiodesZetex Dual 2 Type P-Channel MOSFET 6-Pin SOT-363
- DiodesZetex Dual DMP2090UFDB 1 Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin UDFN
- DiodesZetex Dual DMP Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin UDFN-2020