DiodesZetex Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET, 9.1 A, 60 V Enhancement, 8-Pin VDFN

RS Stock No.:: 182-6931
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: DMT6018LDR-13
ผู้ผลิต:: DiodesZetex

DiodesZetex Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET, 9.1 A, 60 V Enhancement, 8-Pin VDFN

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 10000 ชิ้น)*

THB192,100.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB205,500.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

20,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
10000 - 10000	THB19.21	THB192,100.00
20000 +	THB18.633	THB186,330.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 182-6931
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: DMT6018LDR-13
ผู้ผลิต:: DiodesZetex

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	DiodesZetex
	Product Type	Power MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	9.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	VDFN
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	26mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	6.2nC
	Forward Voltage Vf	0.75V
	Minimum Operating Temperature	150°C
	Maximum Power Dissipation Pd	1.9W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Transistor Configuration	Dual
	Maximum Operating Temperature	-55°C
	Length	3.05mm
	Standards/Approvals	J-STD-020, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS
	Height	0.8mm
	Width	3.05 mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand DiodesZetex
	Product Type Power MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 9.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type VDFN
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 26mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.2nC
	Forward Voltage Vf 0.75V
	Minimum Operating Temperature 150°C
	Maximum Power Dissipation Pd 1.9W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Transistor Configuration Dual
	Maximum Operating Temperature -55°C
	Length 3.05mm
	Standards/Approvals J-STD-020, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS
	Height 0.8mm
	Width 3.05 mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

Datasheet DMT6018LDR-13

COO (Country of Origin):: CN

This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.

Low On-Resistance

Low Input Capacitance

Fast Switching Speed

Low Input/Output Leakage

Applications

Power Management Functions

Analog Switch

DiodesZetex Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET, 9.1 A, 60 V Enhancement, 8-Pin VDFN

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง