DiodesZetex Dual 2 N-Channel Power MOSFET, 33.2 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerDI5060 DMTH6016LPD-13
- RS Stock No.:
- 182-7321
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMTH6016LPD-13
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB342.65
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB366.64
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 29 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 620 | THB34.265 | THB342.65 |
| 630 - 1240 | THB33.408 | THB334.08 |
| 1250 + | THB32.894 | THB328.94 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 182-7321
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMTH6016LPD-13
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 33.2A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | PowerDI5060 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 28mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 8.4nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 37.5W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | 0.7V | |
| Transistor Configuration | Dual | |
| Maximum Operating Temperature | +175°C | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101, J-STD-020, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202 | |
| Width | 4.95mm | |
| Length | 5.85mm | |
| Height | 1.05mm | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Channel Type N | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 33.2A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type PowerDI5060 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 28mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8.4nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 37.5W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf 0.7V | ||
Transistor Configuration Dual | ||
Maximum Operating Temperature +175°C | ||
Standards/Approvals AEC-Q101, J-STD-020, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202 | ||
Width 4.95mm | ||
Length 5.85mm | ||
Height 1.05mm | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it deal for high-efficiency power management applications.
Rated to +175° C – Ideal for High Ambient Temperature
Environments
High Conversion Efficiency
Low Input Capacitance
Fast Switching Speed
Totally Lead-Free
Halogen and Antimony Free. “Green” Device.
Engine Management Systems
Body Control Electronics
DCDC Converters
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- DiodesZetex Dual 2 N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerDI5060
- DiodesZetex Dual DMT 2 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Dual DMT 2 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC DMTH6016LSD-13
- DiodesZetex Dual 2 N-Channel MOSFET 6-Pin SOT-363
- DiodesZetex Dual 2 N-Channel MOSFET 6-Pin SOT-363 DMN61D9UDWQ-7
- onsemi Dual 2 N-Channel Power MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin DFN
- onsemi Dual 2 N-Channel Power MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin DFN NVMFD6H852NLWFT1G
- onsemi Dual 2 N-Channel Power MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin DFN NVMFD6H852NLT1G