DiodesZetex Dual 2 Type N-Channel MOSFET, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerDI5060-8
- RS Stock No.:
- 246-6892
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMT69M9LPDW-13
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB71,587.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB76,597.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2,500 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB28.635 | THB71,587.50 |
| 5000 + | THB27.293 | THB68,232.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 246-6892
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMT69M9LPDW-13
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | PowerDI5060-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0168Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 16 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.5W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 33.5nC | |
| Transistor Configuration | Dual | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type PowerDI5060-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0168Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 16 V | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.5W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 33.5nC | ||
Transistor Configuration Dual | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard No | ||
The DiodesZetex makes a dual N-channel enhancement mode MOSFET, it has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. It is a green device and, totally Lead, halogen and Antimony free. This MOSFET comes in TO252 packaging. It offers fast switching and high efficiency. Its 100% unclamped inductive switching ensures more reliable and robust end application. It has working temperature range of -55°C to +150°C.
Maximum drain to source voltage is 60 V and maximum gate to source voltage is ±16 V It offers low on-resistance and fast switching speed It offers a wettable flank for improved optical inspection Thermally efficient package ideal for cooler running applications
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- DiodesZetex Dual 2 Type N-Channel MOSFET 8-Pin PowerDI5060-8 DMT69M9LPDW-13
- DiodesZetex Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerDI5060
- DiodesZetex Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerDI5060 DMTH6016LPD-13
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 8-Pin PowerDI5060-8
- DiodesZetex Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin VDFN
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerDI5060-8
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 8-Pin PowerDI5060-8 DMT6011LPDW-13
- DiodesZetex Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin VDFN DMT6018LDR-13