Vishay Single IRF620S 1 Type N-Channel Power MOSFET, 5.2 A, 200 V TO-263 IRF620SPBF
- RS Stock No.:
- 180-8301
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF620SPBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB2,372.55
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,538.65
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 700 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB47.451 | THB2,372.55 |
| 100 - 150 | THB46.419 | THB2,320.95 |
| 200 + | THB45.387 | THB2,269.35 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 180-8301
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF620SPBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 5.2A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Series | IRF620S | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.8Ω | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 14nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 50W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Standards/Approvals | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 5.2A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Series IRF620S | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.8Ω | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 14nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 50W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Transistor Configuration Single | ||
Standards/Approvals RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay IRF620S Series Power MOSFET, 200V Maximum Drain Source Voltage, 5.2A Maximum Continuous Drain Current - IRF620SPBF
This power MOSFET is a high-voltage N-channel transistor designed for switching and power-management tasks in electronic and industrial systems. It is supplied in a TO-263 surface-mount package for board-level mounting and is suited to applications requiring moderate current handling and elevated-temperature operation.
Features and Benefits:
• 200V drain-source rating enables high-voltage switching capability • 5.2A continuous drain current supports moderate load currents • 0.8Ω Rds(on) offers predictable conduction losses for heat budgeting • 14nC typical gate charge allows reasonable switching speed and drive design • 50W power dissipation assists thermal planning for power stages • -55°C to 150°C operating range tolerates wide temperature environments
Applications
• Suitable for switching power supplies in industrial equipment • Ideal for motor-drive gate stages with moderate current needs • Used for DC-DC converters in automation systems • Can be used for load switching in electrical control panels
What mounting considerations apply for heat management?
The TO-263 SMD package requires a suitably sized copper pad and thermal vias to spread dissipated power and maintain junction temperature within limits.
What gate-drive voltage range should I design for?
Gate-source voltage must be kept within ±20V, so drive circuits should limit applied gate amplitude accordingly.
How does device ruggedness affect reliability at elevated temperature?
The maximum operating temperature of 150°C permits use in hot environments, but continuous dissipation near the 50W limit will require effective PCB thermal design to avoid thermal overstress.
Are there environmental standards relevant to procurement?
The component conforms to RoHS requirements and follows relevant material specifications for PCB assembly processes.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Single 1 Type N-Channel Power MOSFET 200 V TO-263
- Vishay Single Type N-Channel Power MOSFET 200 V TO-220AB
- Vishay Single Type N-Channel Power MOSFET 200 V TO-220AB IRL620PBF
- Vishay Single 1 Type N-Channel Power MOSFET 100 V, 3-Pin TO-263
- Vishay Single 1 Type N-Channel Power MOSFET 60 V, 3-Pin TO-263
- Vishay Single 1 Type N-Channel Power MOSFET 100 V, 3-Pin TO-263 IRF530SPBF
- Vishay Single 1 Type N-Channel Power MOSFET 60 V, 3-Pin TO-263 IRLZ44SPBF
- Vishay IRF620 Type N-Channel Power MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB
