Vishay IRF620 Type N-Channel Power MOSFET, 5.2 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRF620PBF

RS Stock No.:: 178-0854
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF620PBF
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay IRF620 Type N-Channel Power MOSFET, 5.2 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRF620PBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB1,214.20

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,299.20

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 1,050 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 22 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
50 - 50	THB24.284	THB1,214.20
100 - 150	THB23.756	THB1,187.80
200 +	THB23.228	THB1,161.40

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 178-0854
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF620PBF
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	Power MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	5.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	200V
	Series	IRF620
	Package Type	TO-220AB
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.8Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.8V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	14nC
	Maximum Power Dissipation Pd	50W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	10.41mm
	Height	9.01mm
	Standards/Approvals	RoHS 2002/95/EC
	Width	4.7mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type Power MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 5.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 200V
	Series IRF620
	Package Type TO-220AB
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.8Ω
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.8V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 14nC
	Maximum Power Dissipation Pd 50W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 10.41mm
	Height 9.01mm
	Standards/Approvals RoHS 2002/95/EC
	Width 4.7mm
	Automotive Standard No

Datasheet

ล็อกอินเพื่อดูโมเดล CAD

Vishay IRF620 Series Power MOSFET, 200V Maximum Drain Source Voltage, 5.2A Maximum Continuous Drain Current - IRF620PBF

This power MOSFET is a through-hole N-channel enhancement device designed for high-voltage switching in industrial and electronic control systems. It provides a practical solution for switching and amplification tasks where moderate current and substantial voltage tolerance are required, and is supplied in a TO-220AB package suited to conventional heatsinking.

Features and Benefits:

• 200V drain-source rating enables high-voltage switching applications
• 5.2A continuous drain current supports moderate load currents
• 0.8Ω Rds(on) delivers predictable conduction losses for thermal planning
• 50W power dissipation allows sustained operation with a heatsink
• 14nC typical gate charge permits efficient gate-drive design
• Gate-source withstand up to 20V protects against overdrive during control

Applications

• Suitable for motor driver stages in automation equipment
• Ideal for switch-mode power supplies handling intermediate voltages
• Used for relay-replacement solid-state switching in control panels
• Can be used for laboratory power projects requiring through-hole mounting
• Used with heatsinked assemblies for industrial power conversion

What temperature range can it operate within for industrial use?

It functions across a wide ambient span from -55°C up to 150°C, allowing deployment in cold starts and elevated-temperature enclosures.

How many pins and what mounting style does it require on a board?

It has three electrical terminals and is intended for through-hole installation into plated PCB holes.

What gate-drive considerations should be MADE for safe operation?

Drive circuits must limit gate excursion within a ±20V gate-source window and account for the 14nC typical charge when sizing driver current and switching speed.

What mechanical package dimensions affect panel integration?

The device is supplied in a TO-220AB form factor with Compact footprint dimensions suitable for standard heatsink clips and mounting hardware.