Vishay IRF620 Type N-Channel Power MOSFET, 5.2 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRF620PBF

RS Stock No.:: 178-0854
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF620PBF
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay IRF620 Type N-Channel Power MOSFET, 5.2 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRF620PBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB1,508.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,614.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 900 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 24 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
50 - 50	THB30.17	THB1,508.50
100 - 150	THB29.514	THB1,475.70
200 +	THB28.859	THB1,442.95

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 178-0854
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF620PBF
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	5.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	200V
	Package Type	TO-220AB
	Series	IRF620
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.8Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	14nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Power Dissipation Pd	50W
	Forward Voltage Vf	1.8V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	4.7mm
	Standards/Approvals	RoHS 2002/95/EC
	Height	9.01mm
	Length	10.41mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 5.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 200V
	Package Type TO-220AB
	Series IRF620
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.8Ω
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 14nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Power Dissipation Pd 50W
	Forward Voltage Vf 1.8V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 4.7mm
	Standards/Approvals RoHS 2002/95/EC
	Height 9.01mm
	Length 10.41mm
	Automotive Standard No

ล็อกอินเพื่อดูโมเดล CAD

Vishay IRF620 Series Power MOSFET, 200V Drain Source Voltage, 50W Power Dissipation - IRF620PBF

This power MOSFET is a high-voltage N-channel transistor intended for through-hole power electronics. It operates across a wide temperature span and is suited to switching and amplification tasks where a robust drain-source voltage capability is required. The component is presented in a conventional through-hole package to facilitate mounting in mixed-technology assemblies.

Features and Benefits:

• 200V drain-source rating enables high-voltage switching applications
• 0.8Ω on-resistance reduces conduction losses in low-current circuits
• 5.2A continuous drain current supports moderate power loads
• 50W power dissipation capacity allows sustained thermal stress handling
• 14nC typical gate charge promotes efficient gate driving at Vgs20V
• N-channel enhancement mode simplifies use in common switching topologies

Applications

• Suitable for power supplies handling high-voltage rails
• Ideal for motor control in small industrial drives
• Used with audio amplifiers requiring high-voltage transistors
• Can be used for DC-DC converters in bench equipment
• Appropriate for hobbyist and prototype through-hole assemblies

What gate voltage should be applied for reliable switching?

The device accepts up to 20V between gate and source

use appropriate gate-drive voltages below this maximum to switch effectively.

How does thermal performance affect mounting choices?

With 50W maximum dissipation, a heatsink or adequate PCB copper area is recommended to maintain junction temperatures within safe limits during continuous operation.

What are the expected switching characteristics?

The typical gate charge of 14nC at the specified gate drive indicates moderate gate-drive energy requirements and influences switching speed and driver selection.

What environmental extremes can it tolerate?

It is specified for operation from -55°C up to 150°C, permitting use in a wide range of ambient and elevated-temperature environments.