Vishay IRF620 Type N-Channel Power MOSFET, 5.2 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRF620PBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB50.82

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB54.38

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 322 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 24 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
  • เพิ่มอีก 918 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 31 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 +THB50.82

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
543-0052
Distrelec หมายเลขบทความ:
171-15-009
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRF620PBF
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

5.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Series

IRF620

Package Type

TO-220AB

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.8Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

14nC

Maximum Power Dissipation Pd

50W

Forward Voltage Vf

1.8V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

10.41mm

Width

4.7mm

Height

9.01mm

Standards/Approvals

RoHS 2002/95/EC

Automotive Standard

No

Vishay IRF620 Series Power MOSFET, 200V Drain Source Voltage, 50W Power Dissipation - IRF620PBF


This power MOSFET is a high-voltage N-channel transistor intended for through-hole power electronics. It operates across a wide temperature span and is suited to switching and amplification tasks where a robust drain-source voltage capability is required. The component is presented in a conventional through-hole package to facilitate mounting in mixed-technology assemblies.

Features and Benefits:


• 200V drain-source rating enables high-voltage switching applications
• 0.8Ω on-resistance reduces conduction losses in low-current circuits
• 5.2A continuous drain current supports moderate power loads
• 50W power dissipation capacity allows sustained thermal stress handling
• 14nC typical gate charge promotes efficient gate driving at Vgs20V
• N-channel enhancement mode simplifies use in common switching topologies

Applications


• Suitable for power supplies handling high-voltage rails
• Ideal for motor control in small industrial drives
• Used with audio amplifiers requiring high-voltage transistors
• Can be used for DC-DC converters in bench equipment
• Appropriate for hobbyist and prototype through-hole assemblies

What gate voltage should be applied for reliable switching?


The device accepts up to 20V between gate and source

use appropriate gate-drive voltages below this maximum to switch effectively.

How does thermal performance affect mounting choices?


With 50W maximum dissipation, a heatsink or adequate PCB copper area is recommended to maintain junction temperatures within safe limits during continuous operation.

What are the expected switching characteristics?


The typical gate charge of 14nC at the specified gate drive indicates moderate gate-drive energy requirements and influences switching speed and driver selection.

What environmental extremes can it tolerate?


It is specified for operation from -55°C up to 150°C, permitting use in a wide range of ambient and elevated-temperature environments.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง