Vishay Single IRF620S 1 Type N-Channel Power MOSFET, 5.2 A, 200 V, 3-Pin TO-263 IRF620SPBF

RS Stock No.:: 180-8843
Distrelec หมายเลขบทความ:: 304-30-843
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF620SPBF
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay Single IRF620S 1 Type N-Channel Power MOSFET, 5.2 A, 200 V, 3-Pin TO-263 IRF620SPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB349.74

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB374.22

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 715 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 24 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 10	THB69.948	THB349.74
15 - 20	THB68.198	THB340.99
25 +	THB67.15	THB335.75

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 180-8843
Distrelec หมายเลขบทความ:: 304-30-843
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF620SPBF
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	5.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	200V
	Package Type	TO-263
	Series	IRF620S
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.8Ω
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Power Dissipation Pd	50W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	14nC
	Transistor Configuration	Single
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21
	Number of Elements per Chip	1
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 5.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 200V
	Package Type TO-263
	Series IRF620S
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.8Ω
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Power Dissipation Pd 50W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 14nC
	Transistor Configuration Single
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21
	Number of Elements per Chip 1
	Automotive Standard No

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay IRF620S Series Power MOSFET, 200V Drain Source Voltage, 50W Maximum Power Dissipation - IRF620SPBF

This power MOSFET is a surface-mounted N-channel transistor designed for high-voltage switching and power applications. It is supplied in a TO-263 package and offers a single-transistor configuration for compact board-level solutions. The component is suitable where controlled switching and thermal resilience are required in industrial and electronic supply designs.

Features and Benefits:

• 200V drain voltage enables high-voltage switching capability
• 5.2A continuous drain current supports moderate load currents
• 50W power dissipation allows sustained power handling
• 0.8Ω drain-source resistance reduces conduction losses
• 14nC typical gate charge improves switching efficiency
• Operates from -55°C to 150°C for wide thermal range

Applications

• Suitable for 200V switching power supplies on PCBs
• Ideal for motor-drive gate switching in control circuits
• Used with PWM controllers in power-conversion designs
• Can be used for general-purpose high-voltage switching tasks
• Used in board-mounted power stage assemblies

What mounting style does it require on a PCB?

It is a surface-mount device supplied in a TO-263 package requiring appropriate soldering pads and a thermal land for heat transfer.

What gate voltage limitations must designers observe?

The gate-source rating is limited to 20V maximum and designs should prevent exceeding this during drive or transients.

How many transistor elements are present on the die?

The component contains a single element per chip, simplifying parallel/series arrangements.

Are there environmental or material standards associated with the device?

It complies with RoHS 2002/95/EC and follows IEC 61249-2-21 material guidelines for manufacturing.