Vishay Single 1 Type N-Channel Power MOSFET, 5.2 A, 200 V TO-263
- RS Stock No.:
- 180-8843
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF620SPBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB349.74
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB374.22
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 715 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 10 | THB69.948 | THB349.74 |
| 15 - 20 | THB68.198 | THB340.99 |
| 25 + | THB67.15 | THB335.75 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 180-8843
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF620SPBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 5.2A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.8Ω | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 50W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 14nC | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Distrelec Product Id | 304-30-843 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 5.2A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.8Ω | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 50W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 14nC | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
Distrelec Product Id 304-30-843 | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Vishay IRF620S is a N-channel power MOSFET having drain to source(Vds) voltage of 200V.The gate to source voltage(VGS) is 20V. It is having D2PAK (TO-263) package. It offers drain to source resistance (RDS.) 0.8ohms at 10VGS. Maximum drain current 5.2A.
Surface mount
Available in tape and reel
Dynamic dv/dt rating
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Single 1 Type N-Channel Power MOSFET 200 V TO-263 IRF620SPBF
- Vishay Single Type N-Channel Power MOSFET 200 V TO-220AB
- Vishay Single Type N-Channel Power MOSFET 200 V TO-220AB IRL620PBF
- Vishay Single 1 Type N-Channel Power MOSFET 100 V, 3-Pin TO-263
- Vishay Single 1 Type N-Channel Power MOSFET 60 V, 3-Pin TO-263
- Vishay Single 1 Type N-Channel Power MOSFET 100 V, 3-Pin TO-263 IRF530SPBF
- Vishay Single 1 Type N-Channel Power MOSFET 60 V, 3-Pin TO-263 IRLZ44SPBF
- Vishay Single 1 Type P-Channel Power MOSFET 60 V TO-263