Vishay Dual TrenchFET 2 Type P, Type N-Channel MOSFET, 5.3 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SI4559ADY-T1-E3
- RS Stock No.:
- 180-8097
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI4559ADY-T1-E3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB323.52
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB346.165
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 1,910 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 620 | THB64.704 | THB323.52 |
| 625 - 1245 | THB63.092 | THB315.46 |
| 1250 + | THB62.12 | THB310.60 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 180-8097
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI4559ADY-T1-E3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type P, Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 5.3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SO-8 | |
| Series | TrenchFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.58Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 6nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 3.4W | |
| Transistor Configuration | Dual | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 5mm | |
| Width | 4 mm | |
| Height | 1.75mm | |
| Standards/Approvals | IEC 61249-2-21 | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type P, Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 5.3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SO-8 | ||
Series TrenchFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.58Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 3.4W | ||
Transistor Configuration Dual | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 5mm | ||
Width 4 mm | ||
Height 1.75mm | ||
Standards/Approvals IEC 61249-2-21 | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Features and Benefits
Certifications
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type P 5.3 A 8-Pin SO-8
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P 5.3 A 8-Pin SOIC SI4559ADY-T1-GE3
- Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P 5.3 A 8-Pin SOIC
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type P 4 A 8-Pin PowerPAK 1212-8 Dual
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type P 4 A 8-Pin TSOP
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type P 4 A 8-Pin TSOP SI5515CDC-T1-GE3
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N 3.9 A 6-Pin TSOP SI3585CDV-T1-GE3
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8