Vishay TrenchFET Type N-Channel Power MOSFET, 20.5 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4124DY-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB564.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB603.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
สต็อกสุดท้ายของ RS
  • 2,200 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
10 - 620THB56.40THB564.00
630 - 1240THB54.99THB549.90
1250 +THB54.145THB541.45

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
812-3195
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SI4124DY-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

20.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

SOIC

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.009Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

21nC

Maximum Power Dissipation Pd

5.7W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.55mm

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21

Width

4 mm

Length

5mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง