Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 7.6 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2369DS-T1-GE3

RS Stock No.:: 180-7798
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI2369DS-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 7.6 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2369DS-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*

THB301.925

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB323.05

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

สต็อกสุดท้ายของ RS

75 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
1,725 ชิ้นสุดท้ายส่งจากวันที่ 01 มกราคม 2569

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
25 - 725	THB12.077	THB301.93
750 - 1475	THB11.775	THB294.38
1500 +	THB11.594	THB289.85

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 180-7798
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI2369DS-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	7.6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	SOT-23
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	40mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	1.6W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	11.4nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	3.04mm
	Width	2.64 mm
	Height	1.12mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 7.6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type SOT-23
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 40mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 1.6W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 11.4nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 3.04mm
	Width 2.64 mm
	Height 1.12mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay MOSFET

The Vishay surface mount P-channel MOSFET is a new age product with a drain-source resistance of 29mohm at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum gate-source voltage of 20V and drain-source voltage of 30V. The MOSFET has a minimum and a maximum driving voltage of 4.5V and 10V respectively. It has continuous drain current of 7.6A and maximum power dissipation of 2.5W. MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Halogen free

• Lead (Pb) free

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• TrenchFET power MOSFET

Applications

• DC/DC converter

• For mobile computing

• Load switch

• Notebook adaptor switch

Certifications

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg tested