Vishay Single E 1 Type N-Channel Power MOSFET, 26 A, 500 V, 3-Pin TO-220AB SIHP25N50E-GE3

RS Stock No.:: 180-7790
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHP25N50E-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay Single E 1 Type N-Channel Power MOSFET, 26 A, 500 V, 3-Pin TO-220AB SIHP25N50E-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB600.29

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB642.31

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

280 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 10	THB120.058	THB600.29
15 - 20	THB117.056	THB585.28
25 +	THB115.256	THB576.28

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 180-7790
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHP25N50E-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	Power MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	26A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	500V
	Series	E
	Package Type	TO-220AB
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.145Ω
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	86nC
	Maximum Power Dissipation Pd	250W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±30 V
	Transistor Configuration	Single
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	14.4mm
	Height	6.71mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Width	10.52 mm
	Number of Elements per Chip	1
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type Power MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 26A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 500V
	Series E
	Package Type TO-220AB
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.145Ω
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 86nC
	Maximum Power Dissipation Pd 250W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±30 V
	Transistor Configuration Single
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 14.4mm
	Height 6.71mm
	Standards/Approvals RoHS
	Width 10.52 mm
	Number of Elements per Chip 1
	Automotive Standard No

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay MOSFET

The Vishay through-hole mount N-channel TO-220AB-3 MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 500V and a maximum gate-source voltage of 30V. It has a drain-source resistance of 145mohms at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 250W and continuous drain current of 26A. It has a driving voltage of 10V. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Low figure-of-merit (FOM): Ron x Qg

• Low gate charge (Qg)

• Low input capacitance (Ciss)

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• Reduced switching and conduction losses

Applications

• Hard switched topologies

• PC silver box/ATX power supplies

• Power factor correction power supplies (PFC)

• Switch mode power supplies (SMPS)

• Two-stage LED lighting

Certifications

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• UIS tested