Vishay Single 1 Type N-Channel Power MOSFET, 6.2 A, 600 V, 3-Pin TO-220AB
- RS Stock No.:
- 180-8656
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFBC40APBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB380.59
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB407.23
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 650 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 10 | THB76.118 | THB380.59 |
| 15 - 20 | THB74.214 | THB371.07 |
| 25 + | THB73.074 | THB365.37 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 180-8656
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFBC40APBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 6.2A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-220AB | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.2Ω | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±30 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 42nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 125W | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 14.4mm | |
| Width | 10.52 mm | |
| Height | 6.71mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 6.2A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-220AB | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.2Ω | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±30 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 42nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 125W | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 14.4mm | ||
Width 10.52 mm | ||
Height 6.71mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
The Vishay MOSFET is an N-channel, TO-220-3 package is a new age product with a drain-source voltage of 600V and maximum gate-source voltage of 30V. It has a drain-source resistance of 1.20mohm at a gate-source voltage of 10V. The MOSFET has a maximum power dissipation of 125W. The product has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.
Features and Benefits
• Effective coss specified
• Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current
• Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt
• Lead (Pb) free component
• Low gate charge Qg results in simple drive requirement
• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C
Applications
• High speed power switching
• Switch mode power supply (SMPS)
• Uninterruptible power supplies
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Single 1 Type N-Channel Power MOSFET 600 V, 3-Pin TO-220AB IRFBC40APBF
- Vishay Single 1 Type N-Channel Power MOSFET 50 V, 3-Pin TO-220AB
- Vishay Single 1 Type N-Channel Power MOSFET 50 V, 3-Pin TO-220AB IRFZ20PBF
- Vishay Single EF 1 Type N-Channel Power MOSFET 600 V, 3-Pin TO-220AB
- Vishay Single EF 1 Type N-Channel Power MOSFET 600 V, 3-Pin TO-220AB SIHP21N60EF-GE3
- Vishay Single 1 Type N-Channel Power MOSFET 60 V TO-220AB
- Vishay Single 1 Type N-Channel Power MOSFET 500 V TO-220AB
- Vishay Single 1 Type N-Channel Power MOSFET 500 V TO-220AB IRFB17N50LPBF