Vishay Single E 1 Type N-Channel Power MOSFET, 26 A, 500 V, 3-Pin TO-220AB SIHP25N50E-GE3

RS Stock No.:: 180-7350
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHP25N50E-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay Single E 1 Type N-Channel Power MOSFET, 26 A, 500 V, 3-Pin TO-220AB SIHP25N50E-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB3,817.95

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB4,085.20

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 250 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 24 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
50 - 50	THB76.359	THB3,817.95
100 - 150	THB74.699	THB3,734.95
200 +	THB73.039	THB3,651.95

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 180-7350
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHP25N50E-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	26A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	500V
	Package Type	TO-220AB
	Series	E
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.145Ω
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	86nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	250W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Transistor Configuration	Single
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Height	6.71mm
	Length	14.4mm
	Number of Elements per Chip	1
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 26A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 500V
	Package Type TO-220AB
	Series E
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.145Ω
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 86nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 250W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Transistor Configuration Single
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Height 6.71mm
	Length 14.4mm
	Number of Elements per Chip 1
	Automotive Standard No

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay Series E Power MOSFET, 500V Drain‑Source Voltage, 26A Continuous Drain Current - SIHP25N50E-GE3

This power MOSFET is an N-channel single transistor in a TO-220AB package designed for high-voltage switching and power conversion tasks. It operates across a wide ambient temperature span and is intended for applications that demand significant power handling and robust gate-drive characteristics.

Features and Benefits:

• 500V drain rating enabling high-voltage switching applications
• 26A continuous drain current for sustained load handling
• 250W maximum power dissipation allowing high-power operation
• 0.145Ω Rds(on) reducing conduction losses under load
• 86nC typical gate charge supporting predictable switching behaviour
• 30V Vgs maximum permitting common gate-drive voltages

Applications

• Suitable for industrial power supplies and converters
• Ideal for switch-mode power topologies in inverters
• Used for motor-drive circuits requiring 500V capability
• Can be used for high-voltage relay and protection switching
• Used with discrete power stages in high-temperature environments

What temperature range can it operate within?

It functions across -55°C to 150°C, accommodating cold starts and elevated operating conditions.

How does the package affect thermal management?

The TO-220AB format permits bolting to a heatsink for enhanced thermal dissipation and improved steady-state thermal resistance.

What gate-drive limits should be observed?

Keep the gate-to-source voltage within ±30V to avoid exceeding the device’s gate threshold tolerances.

Is the device configured for multi-chip implementation?

The die contains a single element per chip, so paralleling requires careful current-sharing design.