Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 2.2 A, 80 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
180-7399
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SQ2337ES-T1_GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

2.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

SOT-23

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

314mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

3W

Forward Voltage Vf

-1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

11.5nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

1.12mm

Standards/Approvals

No

Length

3.04mm

Width

2.64 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN

Vishay MOSFET


The Vishay surface mount P-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 80V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has drain-source resistance of 290mohm at a gate-source voltage of 4.5V. It has a maximum power dissipation of 3W and continuous drain current of 2.2A. The minimum and a maximum driving voltage for this MOSFET is 6V and 10V respectively. It is used in automotive applications. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits


• Halogen free

• Lead (Pb) free

• Operating temperature ranges between -55°C and 175°C

• TrenchFET power MOSFET

Certifications


• AEC-Q101

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg tested

• UIS tested

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง