Vishay TrenchFET Type P-Channel TrenchFET Power MOSFET, 1.7 A, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2309ES-T1_GE3

RS Stock No.:: 180-7990
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQ2309ES-T1_GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay TrenchFET Type P-Channel TrenchFET Power MOSFET, 1.7 A, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2309ES-T1_GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB398.02

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB425.88

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

สต็อกสุดท้ายของ RS

380 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
20 - 740	THB19.901	THB398.02
760 - 1480	THB19.404	THB388.08
1500 +	THB19.105	THB382.10

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 180-7990
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQ2309ES-T1_GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type P
	Product Type	TrenchFET Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	1.7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	TO-236
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.335Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	2W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	8.5nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	3.04mm
	Height	1.12mm
	Width	2.64 mm
	Standards/Approvals	AEC-Q101, IEC 61249-2-21, RoHS (2002/95/EC)
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type P
	Product Type TrenchFET Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 1.7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type TO-236
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.335Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 2W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8.5nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 3.04mm
	Height 1.12mm
	Width 2.64 mm
	Standards/Approvals AEC-Q101, IEC 61249-2-21, RoHS (2002/95/EC)
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay MOSFET

The Vishay surface mount P-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 60V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has drain-source resistance of 15.5mohm at a gate-source voltage of 10V. It has continuous drain current of 50A and maximum power dissipation of 136W. The minimum and a maximum driving voltage for this transistor are 4.5V and 10V respectively. It is used in automotive applications. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Halogen free

• Lead (Pb) free

• Operating temperature ranges between -55°C and 175°C

• Package with low thermal resistance

• TrenchFET power MOSFET

Applications

• Adaptor switch

• Load switches

Certifications

• AEC-Q101

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg tested

• UIS tested