Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 2.2 A, 80 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2337ES-T1_GE3

RS Stock No.:: 180-8076
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQ2337ES-T1_GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 2.2 A, 80 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2337ES-T1_GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB423.74

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB453.40

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

2,240 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
20 - 740	THB21.187	THB423.74
760 - 1480	THB20.657	THB413.14
1500 +	THB20.34	THB406.80

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 180-8076
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQ2337ES-T1_GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	2.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Series	TrenchFET
	Package Type	SOT-23
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	314mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	11.5nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	3W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	3.04mm
	Standards/Approvals	No
	Height	1.12mm
	Width	2.64 mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 2.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Series TrenchFET
	Package Type SOT-23
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 314mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 11.5nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 3W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 3.04mm
	Standards/Approvals No
	Height 1.12mm
	Width 2.64 mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay MOSFET

The Vishay surface mount P-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 80V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has drain-source resistance of 290mohm at a gate-source voltage of 4.5V. It has a maximum power dissipation of 3W and continuous drain current of 2.2A. The minimum and a maximum driving voltage for this MOSFET is 6V and 10V respectively. It is used in automotive applications. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Halogen free

• Lead (Pb) free

• Operating temperature ranges between -55°C and 175°C

• TrenchFET power MOSFET

Certifications

• AEC-Q101

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg tested

• UIS tested

Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 2.2 A, 80 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2337ES-T1_GE3

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

Vishay MOSFET

Features and Benefits

Certifications

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง