Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8

RS Stock No.:: 178-3895P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiR188DP-T1-RE3
ผู้ผลิต:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย 750 ชิ้น (จัดส่งเป็นม้วน)*

THB30,528.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB32,664.75

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 1,020 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
750 - 1490	THB40.704
1500 +	THB40.077

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 178-3895P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SiR188DP-T1-RE3
ผู้ผลิต:: Vishay Siliconix

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay Siliconix
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	60A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	SO-8
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	4mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	29nC
	Maximum Power Dissipation Pd	65.7W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Height	1.07mm
	Length	5.99mm
	Width	5 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay Siliconix
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 60A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type SO-8
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 4mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 29nC
	Maximum Power Dissipation Pd 65.7W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Height 1.07mm
	Length 5.99mm
	Width 5 mm
	Automotive Standard No

Datasheet

สถานะRoHS: ได้รับการยกเว้น

COO (Country of Origin):: CN

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM

Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง