Vishay Dual TrenchFET 2 N-Channel MOSFET, 6 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SQS966ENW-T1_GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
RS Stock No.:
178-3727
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SQS966ENW-T1_GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

PowerPAK 1212

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

60mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

27.8W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

12.1nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

820mV

Transistor Configuration

Dual

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

1.07mm

Width

3.15mm

Standards/Approvals

No

Length

3.15mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

AEC-Q101

สถานะRoHS: ได้รับการยกเว้น

COO (Country of Origin):
CN
TrenchFET® power MOSFET

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง