Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 2 A, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

RS Stock No.:: 178-3708
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQ2364EES-T1_GE3
ผู้ผลิต:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 2 A, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB30,507.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB32,643.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

3,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
3000 - 3000	THB10.169	THB30,507.00
6000 - 9000	THB9.864	THB29,592.00
12000 +	THB9.568	THB28,704.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 178-3708
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQ2364EES-T1_GE3
ผู้ผลิต:: Vishay Siliconix

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay Siliconix
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	TrenchFET
	Package Type	SOT-23
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	600mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	8 V
	Maximum Power Dissipation Pd	3W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	2nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Height	1.02mm
	Length	3.04mm
	Width	1.4 mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay Siliconix
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series TrenchFET
	Package Type SOT-23
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 600mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V
	Maximum Power Dissipation Pd 3W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 2nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Height 1.02mm
	Length 3.04mm
	Width 1.4 mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet

สถานะRoHS: ได้รับการยกเว้น

COO (Country of Origin):: CN

Vishay MOSFET

The Vishay surface mount N-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 60V and a maximum gate-source voltage of 8V. It has drain-source resistance of 240mohms at a gate-source voltage of 4.5V. It has a maximum power dissipation of 3W and continuous drain current of 2A. It has a minimum and a maximum driving voltage of 1.5V and 4.5V. It is used in automotive applications. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Halogen free

• Lead (Pb) free

• Operating temperature ranges between -55°C and 175°C

• TrenchFET power MOSFET

Certifications

• AEC-Q101

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg tested

• UIS tested

Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 2 A, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

Vishay MOSFET

Features and Benefits

Certifications

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง