Vishay IRFBC20 Type N-Channel Power MOSFET, 2.2 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRFBC20PBF

RS Stock No.:: 178-0839
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFBC20PBF
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay IRFBC20 Type N-Channel Power MOSFET, 2.2 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRFBC20PBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB1,690.55

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,808.90

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

950 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
50 - 50	THB33.811	THB1,690.55
100 - 150	THB33.076	THB1,653.80
200 +	THB32.341	THB1,617.05

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 178-0839
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFBC20PBF
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	2.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Series	IRFBC20
	Package Type	TO-220AB
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	4.4Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	18nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Power Dissipation Pd	50W
	Forward Voltage Vf	2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	10.41mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Height	9.01mm
	Width	4.7mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 2.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Series IRFBC20
	Package Type TO-220AB
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 4.4Ω
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 18nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Power Dissipation Pd 50W
	Forward Voltage Vf 2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 10.41mm
	Standards/Approvals RoHS
	Height 9.01mm
	Width 4.7mm
	Automotive Standard No

ล็อกอินเพื่อดูโมเดล CAD

Vishay IRFBC20 Series Power MOSFET, 600V Maximum Drain Source Voltage, 2.2A Maximum Continuous Drain Current - IRFBC20PBF

This power MOSFET is a high-voltage N-channel enhancement device designed for switching and power-control tasks in industrial and electronic systems. It is supplied in a through-hole TO-220AB package and is intended for applications requiring elevated voltage tolerance and robust thermal endurance in conventional board-mounted assemblies.

Features and Benefits:

• 600V drain-to-source rating enables high-voltage switching applications • 2.2A continuous current capacity supports moderate load drivers • 4.4Ω Rds(on) simplifies gate-drive design for low-frequency control • 50W power dissipation allows sustained power handling under cooling • 18nC typical gate charge reduces switching energy at modest speeds • 150°C maximum junction temperature tolerates elevated thermal stress

Applications

• Suitable for high-voltage power supplies and converters • Ideal for industrial motor-drive control stages • Used for load switching in automation equipment • Can be used for gate-controlled power regulation in test rigs • Suitable for replacement in legacy through-hole high-voltage circuits

What gate voltage range is acceptable for operation?

The device permits gate excursions up to 20V relative to source for normal operation.

How does the package support assembly and handling?

The TO-220AB through-hole format provides three-pin mounting and easy heatsink attachment for mechanical stability and thermal management.

What environmental temperature limits apply during use?

It operates across a temperature span down to -55°C and up to a maximum of 150°C junction temperature.

What is the typical switching charge to consider for drive circuitry?

Expect an approximate total gate charge of 18nC at typical drive conditions when sizing driver capability.

Are there recognised material or manufacturing restrictions on the part?

The component conforms to RoHS material restrictions as part of its manufacturing approvals.