Vishay Single 1 N-Channel Power MOSFET, 2.2 A, 600 V, 3-Pin IRFBC20SPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 15 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 2%

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB280.97

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB300.64

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 28 มิถุนายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
การประหยัด
5 - 10THB56.194THB280.97-
15 - 20THB54.786THB273.932%
25 +THB53.944THB269.724%

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
180-8646
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRFBC20SPBF
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

2.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Mount Type

Through Hole, Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.4Ω

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.6V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

18nC

Maximum Power Dissipation Pd

3.1W

Transistor Configuration

Single

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC

Number of Elements per Chip

1

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The Vishay IRFBC20S is a N-channel power MOSFET having drain to source(Vds) voltage of 600V.The gate to source voltage(VGS) is 20V. It is having I2PAK (TO-262) and D2PAK (TO-263) package. It offers drain to source resistance (RDS.) 4.4ohms at 10VGS. Maximum drain current 2.2A.

Surface mount

Dynamic dV/dt rating

150 °C operating temperature

Fast switching

Fully avalanche rated

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง