Vishay IRFB9N60A Type N-Channel Power MOSFET, 9.2 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB
- RS Stock No.:
- 178-0821
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFB9N60APBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB2,866.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB3,067.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 1,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 25 กันยายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB57.33 | THB2,866.50 |
| 100 - 150 | THB56.084 | THB2,804.20 |
| 200 + | THB54.838 | THB2,741.90 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 178-0821
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFB9N60APBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 9.2A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | IRFB9N60A | |
| Package Type | TO-220AB | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 750mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 170W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 49nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 9.01mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 10.41mm | |
| Width | 4.7mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 9.2A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series IRFB9N60A | ||
Package Type TO-220AB | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 750mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 170W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 49nC | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 9.01mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 10.41mm | ||
Width 4.7mm | ||
Automotive Standard No | ||
Vishay IRFB9N60A Series Power MOSFET, 600V Drain-Source Voltage, 9.2A Continuous Drain Current - IRFB9N60APBF
This power MOSFET is a high-voltage N-channel semiconductor device intended for switching and power-conversion roles in industrial electronics. It operates as an enhancement-mode transistor and is supplied in a through-hole TO-220AB package suitable for solder-mount applications. The device is designed for use where robust voltage handling and moderate current capability are required within equipment assemblies.
Features and Benefits:
• 600V drain rating enables high-voltage switching applications • 9.2A continuous drain current supports sustained load driving • 750mΩ Rds(on) reduces conduction losses in low-current circuits • 170W power dissipation allows substantial thermal headroom • 49nC typical gate charge at Vgs 30V facilitates predictable drive timing • Rated to 150°C maximum operating temperature tolerates elevated junction conditions
Applications
• Suitable for line-frequency switch-mode power supplies • Ideal for industrial motor drive gate stages • Used with high-voltage DC-DC converter topologies • Can be used for power braking and snubber networks • Used for lab and prototyping where through-hole mounting is preferred
What gate drive constraints should I consider for reliable switching?
Drive voltages should not exceed 30V relative to the source and gate charge of about 49nC at that level defines the required driver current and switching timing.
How does thermal management influence performance under continuous load?
With 170W Pd, heat-sinking is necessary to maintain junction temperature below the 150°C limit and to achieve the specified continuous drain current without thermal derating.
What mounting method is recommended for mechanically stable connections?
Through-hole solder mounting in the TO-220AB package provides robust mechanical and thermal contact suitable for repeated thermal cycles.
What environmental temperature range can it operate within?
It is specified for operation down to -55°C and up to 150°C, allowing use across wide ambient conditions if thermal design is appropriate.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay IRFB9N60A Type N-Channel Power MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRFB9N60APBF
- Vishay IRFS9N60A Type N-Channel Power MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Vishay IRFS9N60A Type N-Channel Power MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRFS9N60APBF
- Vishay IRF510 Type N-Channel Power MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB
- Vishay IRFBC20 Type N-Channel Power MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB
- Vishay IRF820 Type N-Channel Power MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB
- Vishay EF Type N-Channel Power MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB
- Vishay IRFBG30 Type N-Channel Power MOSFET 1 kV Enhancement, 3-Pin TO-220AB
