Vishay IRFB9N60A Type N-Channel Power MOSFET, 9.2 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRFB9N60APBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB3,068.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB3,283.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • 1,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 25 กันยายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
50 - 50THB61.37THB3,068.50
100 - 150THB60.036THB3,001.80
200 +THB58.702THB2,935.10

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
178-0821
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRFB9N60APBF
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

9.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

IRFB9N60A

Package Type

TO-220AB

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

750mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.5V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

170W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

49nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

9.01mm

Width

4.7mm

Standards/Approvals

RoHS

Length

10.41mm

Automotive Standard

No

Vishay IRFB9N60A Series Power MOSFET, 600V Drain Source Voltage, 9.2A Continuous Drain Current - IRFB9N60APBF


This power MOSFET is a high-voltage N-channel transistor intended for switching and amplification tasks in industrial electronics. It operates as an enhancement-mode device and is supplied in a TO-220AB through-hole package suitable for heat-sink mounting. The component is designed to function across a broad temperature span, making it appropriate for demanding thermal environments.

Features and Benefits:


• 600V drain-source rating enables high-voltage switching
• 9.2A continuous drain current supports moderate load currents
• 750mΩ Rds(on) reduces conduction losses under load
• 170W maximum dissipation permits high-power handling
• 49nC typical gate charge allows controlled switching dynamics
• 30V gate tolerance supports standard gate-drive voltages

Applications


• Suitable for offline power supplies and SMPS
• Ideal for inverter and motor-drive stages
• Used with high-voltage DC-DC converter designs
• Can be used for inductive load switching in industrial equipment
• Used for power-stage prototypes on through-hole development boards

What thermal extremes can the device tolerate in operation?


It is specified to operate from -55°C up to 150°C ambient, accommodating low-temperature starts and elevated thermal stress.

How does the package support mounting and cooling in systems?


The TO-220AB outline permits secure through-hole fixation and direct attachment to a heatsink for improved thermal conduction.

What gate-drive considerations are necessary for switching performance?


Drive voltages should remain within ±30V of gate-to-source

the 49nC gate charge influences required driver current for targeted switching speed.

Is the device suitable for automotive-grade applications?


It is not characterised to automotive standards and therefore is recommended for industrial rather than automotive-certified deployments.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง