Vishay IRF710 Type N-Channel Power MOSFET, 1.2 A, 400 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRF710PBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB1,670.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,787.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 1,200 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 24 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
50 - 50THB33.40THB1,670.00
100 - 150THB32.674THB1,633.70
200 +THB31.948THB1,597.40

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
178-0855
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRF710PBF
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

1.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

400V

Series

IRF710

Package Type

TO-220AB

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.6Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

36W

Forward Voltage Vf

1.6V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

17nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

4.7mm

Height

9.01mm

Length

10.41mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Vishay IRF710 Series Power MOSFET, 400V Drain Source Voltage, 36W Power Dissipation - IRF710PBF


This power MOSFET is a high-voltage, N-channel device intended for switching and amplification duties in through-hole power designs. It operates reliably across a wide thermal span and is supplied in a commonly used TO-220AB package, making it suitable for integration into discrete power stages where robust voltage handling is required.

Features and Benefits:


• 400V drain voltage enabling high-voltage switching capability
• 36W maximum dissipation supporting moderate power handling
• 3.6Ω on-resistance minimises conduction losses where currents are low
• 1.2A continuous drain current for sustained light-load operation
• 17nC typical gate charge for predictable switching performance
• ±20V gate tolerance allowing standard gate-drive voltages

Applications


• Suitable for mains-linked switch-mode power supplies
• Ideal for inverter front-end and high-voltage regulators
• Used with discrete transistor stages in hobbyist and service repairs
• Can be used for snubber or clamp circuits in protection networks
• Suitable for through-hole prototypes and repair replacements

What thermal range can I expect during operation?


The device is rated to function from -55°C up to 150°C, accommodating environments from sub-zero storage to elevated operating conditions.

How should I mount it for effective heat dissipation?


The through-hole TO-220AB package permits fastening to a heatsink or chassis using the mounting tab to improve thermal transfer and maintain junction temperatures.

What gate-drive considerations are necessary for switching?


Drive voltages must remain within ±20V

the 17nC gate charge helps estimate driver current requirements for desired switching speeds.

Is this component suitable for automotive applications?


It is not specified for automotive standards, so it should be avoided where automotive qualification is required.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง