Vishay Single Type N-Channel Power MOSFET, 10 A, 400 V, 3-Pin TO-263

RS Stock No.:: 180-8642
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF740ALPBF
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay Single Type N-Channel Power MOSFET, 10 A, 400 V, 3-Pin TO-263

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB479.79

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB513.375

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 180 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 22 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 10	THB95.958	THB479.79
15 - 20	THB93.56	THB467.80
25 +	THB92.122	THB460.61

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 180-8642
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF740ALPBF
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	10A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	400V
	Package Type	TO-263
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.55Ω
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30V
	Maximum Power Dissipation Pd	125W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	36nC
	Transistor Configuration	Single
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC
	Length	9.65mm
	Height	4.83mm
	Width	10.67mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 10A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 400V
	Package Type TO-263
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.55Ω
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V
	Maximum Power Dissipation Pd 125W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 36nC
	Transistor Configuration Single
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC
	Length 9.65mm
	Height 4.83mm
	Width 10.67mm
	Automotive Standard No

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay Power MOSFET, 400V Drain Source Voltage, 10A Maximum Continuous Drain Current - IRF740ALPBF

This power MOSFET is a high-voltage N-channel transistor designed for switching and power conversion in industrial and electronic systems. It operates across a wide temperature range and is packaged for surface-mount assembly, offering a balance of voltage capability and continuous current for demanding control and power regulation tasks.

Features and Benefits:

• 400V drain voltage supports high-voltage switching applications • 10A continuous drain current enables sustained load handling • 0.55Ω low Rds(on) reduces conduction losses at operational currents • 125W power dissipation allows for elevated thermal loading • 36nC typical gate charge aids predictable switching behaviour • 150°C maximum operating temperature permits high-temperature operation

Applications

• Suitable for industrial motor drive switching stages • Ideal for high-voltage power supply switching elements • Used for inverter and converter topologies in automation systems • Can be used for load-switching in electrical control panels

What package type does it use for PCB mounting?

It is supplied in a TO-263 surface-mount package suitable for heatsinking on PCBs.

What environmental standards are associated with this component?

The device conforms to RoHS 2002/95/EC and IEC 61249-2-21 material standards.

What gate voltage limits should be observed during design?

The gate-source voltage must not exceed ±30V to avoid device damage.

What are the thermal operating boundaries for long-term use?

The component is rated for continuous operation between -55°C and 150°C.

How many pins are present for electrical connections?

The device has three pins configured for single-transistor operation.