Vishay Single Type N-Channel Power MOSFET, 10 A, 400 V, 3-Pin TO-263 IRF740ALPBF

RS Stock No.:: 180-8642
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF740ALPBF
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay Single Type N-Channel Power MOSFET, 10 A, 400 V, 3-Pin TO-263 IRF740ALPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB606.94

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB649.425

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 180 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 24 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 10	THB121.388	THB606.94
15 - 20	THB118.354	THB591.77
25 +	THB116.534	THB582.67

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 180-8642
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF740ALPBF
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	10A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	400V
	Package Type	TO-263
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.55Ω
	Maximum Power Dissipation Pd	125W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	36nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30V
	Transistor Configuration	Single
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	4.83mm
	Length	9.65mm
	Width	10.67mm
	Standards/Approvals	IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 10A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 400V
	Package Type TO-263
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.55Ω
	Maximum Power Dissipation Pd 125W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 36nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V
	Transistor Configuration Single
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 4.83mm
	Length 9.65mm
	Width 10.67mm
	Standards/Approvals IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC
	Automotive Standard No

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay Power MOSFET, 400V Maximum Drain Source Voltage, 10A Maximum Continuous Drain Current - IRF740ALPBF

This power MOSFET is a high-voltage N-channel transistor designed for switching and power-conversion roles in industrial electronics. It operates in demanding thermal environments and suits designs requiring a three-terminal device with robust voltage handling and moderate current capability.

Features and Benefits:

• 400V drain rating for high-voltage switching applications
• 10A continuous drain current to support sustained loads
• 0.55Ω Rds(on) for controlled conduction losses
• 125W power dissipation enabling significant thermal throughput
• 36nC typical gate charge reducing drive energy requirements
• 30V maximum gate-source voltage for standard gate-drive compatibility

Applications

• Suitable for offline SMPS primary switching stages
• Ideal for power-factor-correction circuits in supplies
• Used with motor-control front-ends for low-speed drives
• Can be used for industrial lighting ballast switching
• Useful in high-voltage test and measurement equipment

What thermal range can it withstand during operation?

It is rated to operate from -55°C up to 150°C, allowing use across wide ambient and elevated junction conditions.

Which packaging form factor does it use for PCB mounting?

It is supplied in a TO-263 package, providing a flat power tab and three terminals for surface-mount assembly.

Are there environmental or materials standards associated with it?

The device complies with RoHS 2002/95/EC and follows IEC 61249-2-21 material specifications.

What gate-drive considerations arise from its gate charge?

With a typical Qg of 36nC at Vgs, gate drivers must supply sufficient transient current to achieve the required switching speed without excessive delay.