Vishay IRF740S Type N-Channel Power MOSFET, 10 A, 400 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF740SPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB3,140.65

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB3,360.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 550 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 24 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
50 - 50THB62.813THB3,140.65
100 - 150THB61.448THB3,072.40
200 +THB60.082THB3,004.10

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
178-0832
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRF740SPBF
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

10A

Maximum Drain Source Voltage Vds

400V

Series

IRF740S

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

550mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

63nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Forward Voltage Vf

2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

10.67mm

Height

4.83mm

Standards/Approvals

RoHS

Width

9.65mm

Automotive Standard

No

Vishay IRF740S Series Power MOSFET, 400V Drain Source Voltage, 10A Continuous Drain Current - IRF740SPBF


This power MOSFET is a high-voltage N-channel transistor designed for switching and power-conversion roles in surface-mount assemblies. It operates across a wide ambient range and is intended for applications requiring controlled gate drive and robust power handling while conforming to RoHS directives.

Features and Benefits:


• 400V drain-source rating enables high-voltage switching
• 10A continuous drain current supports substantial load currents
• 125W power-dissipation capability improves thermal headroom
• 550mΩ Rds(on) balances conduction losses and control simplicity
• 63nC typical gate charge allows predictable switching behaviour
• 20V maximum gate-source rating protects gate-drive design

Applications


• Suitable for switch-mode power supplies in industrial equipment
• Ideal for high-voltage motor-drive stages and inverters
• Used with isolated gate drivers in renewable-energy converters
• Can be used for DC-DC converters handling moderate currents
• Appropriate for power management on densely populated SMT boards

What temperature extremes can this device tolerate during operation?


It is specified to function from -55°C up to 150°C, covering typical commercial and extended-industrial ranges.

How does the package affect board-level assembly and thermal performance?


The TO-263 surface-mount package permits soldered thermal transfer to PCB copper planes and supports higher dissipation in compact SMT layouts.

What gate-drive constraints should designers observe to avoid damage?


The gate-source voltage must not exceed 20V to prevent gate-oxide stress and potential failure.

How many external connections does the device present for circuit integration?


It provides three pins consistent with standard single-channel MOSFET connections for drain, source and gate.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง