Vishay IRF740S Type N-Channel Power MOSFET, 10 A, 400 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- RS Stock No.:
- 178-0832
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF740SPBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB2,855.15
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB3,055.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 600 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 22 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB57.103 | THB2,855.15 |
| 100 - 150 | THB55.861 | THB2,793.05 |
| 200 + | THB54.62 | THB2,731.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 178-0832
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF740SPBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 10A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 400V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | IRF740S | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 550mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 63nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 125W | |
| Forward Voltage Vf | 2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 10.67mm | |
| Width | 9.65mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Height | 4.83mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 10A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 400V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series IRF740S | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 550mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 63nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 125W | ||
Forward Voltage Vf 2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 10.67mm | ||
Width 9.65mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Height 4.83mm | ||
Automotive Standard No | ||
Vishay IRF740S Series Power MOSFET, 400V Maximum Drain Source Voltage, 10A Maximum Continuous Drain Current - IRF740SPBF
This power MOSFET is a high-voltage, N-channel enhancement device designed for surface-mount applications in industrial electronic systems. It functions as a switching transistor capable of handling substantial voltage and current in demanding environments, suitable for use where compact, board-mounted power switching is required.
Features and Benefits:
• 400V drain rating enables high-voltage switching applications • 10A continuous current supports moderate power loads • 125W power dissipation allows sustained thermal handling • 550mΩ Rds(on) reduces conduction losses in low-to-mid power circuits • 63nC typical gate charge yields predictable drive requirements • 150°C maximum operating temperature suits high-temperature environments
Applications
• Suitable for industrial motor drive switching stages • Ideal for high-voltage power converters and inverters • Used for auxiliary power supplies in automation equipment • Can be used for solid-state relay and switch modules • Used with surface-mount assemblies requiring TO-263 mounting
What mounting style does it require on a PCB?
It is supplied in a TO-263 surface-mount package with three pins designed for board-level soldering and thermal conduction to a PCB copper area.
What gate voltage limits must designers observe?
Gate-to-source voltage must not exceed 20V to avoid gate oxide stress and potential device failure.
How should thermal management be approached in designs?
Designers should use adequate copper area or heatsinking on the PCB to dissipate up to 125W under specified conditions and maintain junction temperatures below the 150°C limit.
What environmental temperature range can it tolerate during operation?
The device is rated to operate down to -55°C and up to 150°C, permitting use across a wide range of ambient temperatures.
What characteristic affects switching drive sizing?
The typical gate charge of 63nC determines the drive current and transition times required from the gate driver to achieve the desired switching speed.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay IRF740S Type N-Channel MOSFET 400 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF740SPBF
- Vishay Type N-Channel MOSFET 400 V, 3-Pin TO-263
- Vishay Type N-Channel MOSFET 400 V, 3-Pin TO-263 IRF740ASPBF
- Vishay IRF Type N-Channel MOSFET 400 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF740PBF
- Vishay IRF740LC Type N-Channel MOSFET 400 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF740LCPBF
- Vishay IRF740A Type N-Channel MOSFET 400 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF740APBF
- Vishay IRF Type N-Channel MOSFET 400 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Vishay IRF740A Type N-Channel MOSFET 400 V Enhancement, 3-Pin TO-220
