Infineon IPD200N15N3 G Type N-Channel MOSFET, 50 A, 150 V Enhancement, 5-Pin TO-252 IPD200N15N3GATMA1

RS Stock No.:: 171-1945
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD200N15N3GATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IPD200N15N3 G Type N-Channel MOSFET, 50 A, 150 V Enhancement, 5-Pin TO-252 IPD200N15N3GATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB581.28

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB621.97

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 40 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
เพิ่มอีก 400 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 620	THB58.128	THB581.28
630 - 1240	THB56.674	THB566.74
1250 +	THB55.803	THB558.03

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 171-1945
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD200N15N3GATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	50A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	150V
	Series	IPD200N15N3 G
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Pin Count	5
	Maximum Drain Source Resistance Rds	20mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	23nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	150W
	Forward Voltage Vf	1V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	4.57mm
	Width	9.45 mm
	Length	10.36mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 50A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 150V
	Series IPD200N15N3 G
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Pin Count 5
	Maximum Drain Source Resistance Rds 20mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 23nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 150W
	Forward Voltage Vf 1V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 4.57mm
	Width 9.45 mm
	Length 10.36mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

The Infineon IPD200N15N3 G is 150V OptiMOS achieves a reduction in R DS(on) of 40% and of 45% in figure of merit (FOM) compared to the next best competitor. This drastic improvement opens new possibilities like moving from leaded packages to SMD packages or effectively replacing two old parts with one OptiMOS part.

Excellent switching performance

Worlds lowest R DS(on)

Infineon IPD200N15N3 G Type N-Channel MOSFET, 50 A, 150 V Enhancement, 5-Pin TO-252 IPD200N15N3GATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง