Vishay SQ Rugged N-Channel MOSFET, 32 A, 40 V Enhancement, 5-Pin SO-8 SQJ412EP-T1_GE3

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB544.63

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB582.76

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มีนาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
5 - 745THB108.926THB544.63
750 - 1495THB106.202THB531.01
1500 +THB104.566THB522.83

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
787-9496
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SQJ412EP-T1_GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

32A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

SQ Rugged

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

5

Maximum Drain Source Resistance Rds

8.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

83W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Forward Voltage Vf

0.8V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-20V, +20V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Width

5.03mm

Length

5mm

Height

1.14mm

Automotive Standard

AEC-Q101

N-Channel MOSFET, Automotive SQ Rugged Series, Vishay Semiconductor


The SQ series of MOSFETs from Vishay Semiconductor are designed for all automotive applications requiring ruggedness and high reliability.

Advantages of SQ Rugged Series MOSFETs


• AEC-Q101 qualified

• Junction temperature up to +175°C

• Low on-resistance n- and p-channel TrenchFET® technologies

• Innovative space-saving package options

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Approvals

AEC-Q101

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง