Vishay SQ Rugged Type N-Channel MOSFET, 32 A, 40 V Enhancement, 5-Pin SO-8 SQJ412EP-T1_GE3
- RS Stock No.:
- 787-9496
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJ412EP-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB430.54
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB460.68
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 25 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 745 | THB86.108 | THB430.54 |
| 750 - 1495 | THB83.956 | THB419.78 |
| 1500 + | THB82.664 | THB413.32 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 787-9496
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJ412EP-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 32A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | SO-8 | |
| Series | SQ Rugged | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 5 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 8.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 0.8V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 83W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 5mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.14mm | |
| Width | 5.03 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 32A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type SO-8 | ||
Series SQ Rugged | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 5 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 8.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 0.8V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 83W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 5mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.14mm | ||
Width 5.03 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
N-Channel MOSFET, Automotive SQ Rugged Series, Vishay Semiconductor
The SQ series of MOSFETs from Vishay Semiconductor are designed for all automotive applications requiring ruggedness and high reliability.
Advantages of SQ Rugged Series MOSFETs
• AEC-Q101 qualified
• Junction temperature up to +175°C
• Low on-resistance n- and p-channel TrenchFET® technologies
• Innovative space-saving package options
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Approvals
AEC-Q101
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SQ Rugged Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin SO-8
- Vishay SQ Rugged Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin TSOP
- Vishay SQ Rugged Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay SQ Rugged Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin TSOP SQ3460EV-T1_GE3
- Vishay SQ Rugged Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC SQ4850EY-T1_GE3
- Vishay SQ Rugged Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Vishay SQ Rugged Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SQD40N06-14L_GE3
- Vishay SQ Rugged Type N-Channel TrenchFET Power MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
