Vishay SQ Rugged N-Channel MOSFET, 32 A, 40 V Enhancement, 5-Pin SO-8 SQJ412EP-T1_GE3
- RS Stock No.:
- 787-9496
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJ412EP-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 750 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB1,429.50
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB381.24
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB407.92
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 21 พฤษภาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 5 - 745 | THB76.248 | THB381.24 | - |
| 750 - 1495 | THB74.342 | THB371.71 | THB1,429.50 |
| 1500 + | THB73.196 | THB365.98 | THB4,578.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 787-9496
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQJ412EP-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 32A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | SO-8 | |
| Series | SQ Rugged | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 5 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 8.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 83W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Forward Voltage Vf | 800mV | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 1.14mm | |
| Width | 5.03mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 5mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 32A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type SO-8 | ||
Series SQ Rugged | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 5 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 8.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 83W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Forward Voltage Vf 800mV | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 1.14mm | ||
Width 5.03mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 5mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
N-Channel MOSFET, Automotive SQ Rugged Series, Vishay Semiconductor
Advantages of SQ Rugged Series MOSFETs
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Approvals
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SQ Rugged N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin SO-8 SQJ412EP-T1_GE3
- Vishay SQ Rugged N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin TSOP SQ3460EV-T1_GE3
- Vishay SQ Rugged N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC SQ4850EY-T1_GE3
- Vishay SQ Rugged N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SQS462EN-T1_GE3
- Vishay SQ Rugged N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SQD40N06-14L-GE3
- Vishay SQ Rugged N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SQD40N06-14L_GE3
- Vishay SQ Rugged N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC SQ4850EY-T1-GE3
- Vishay SQ Rugged N-Channel TrenchFET Power MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2310ES-T1_BE3
