Vishay SQ Rugged Type P-Channel MOSFET, 6.2 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- RS Stock No.:
- 165-6285
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQ4431EY-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB38,135.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB40,805.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 25 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB15.254 | THB38,135.00 |
| 5000 - 7500 | THB14.796 | THB36,990.00 |
| 10000 + | THB14.352 | THB35,880.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 165-6285
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQ4431EY-T1_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 6.2A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | SOIC | |
| Series | SQ Rugged | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 52mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 6W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 25nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | -1.1V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 5mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.55mm | |
| Width | 4 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 6.2A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type SOIC | ||
Series SQ Rugged | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 52mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 6W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 25nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf -1.1V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 5mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.55mm | ||
Width 4 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P-Channel MOSFET, SQ Rugged Series, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SQ Rugged Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SQ4431EY-T1_GE3
- Vishay SQ Rugged Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC SQ4401EY-T1_GE3
- Vishay SQ Rugged Type P-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay SQ Rugged Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 6-Pin TSOP-6
- Vishay SQ Rugged Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- Vishay SQ Rugged Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 6-Pin TSOP-6 SQ3419EV-T1_GE3
- Vishay SQ Rugged Type P-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2315ES-T1_GE3
- Vishay SQ Rugged Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
