Vishay SQ Rugged Type P-Channel MOSFET, 6.2 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SQ4431EY-T1_GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
RS Stock No.:
165-6285
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SQ4431EY-T1_GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SOIC

Series

SQ Rugged

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

52mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

6W

Forward Voltage Vf

-1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

25nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-20V, +20V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

4mm

Height

1.55mm

Length

5mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN

P-Channel MOSFET, SQ Rugged Series, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง