Wolfspeed C3M N-Channel MOSFET, 30 A, 1.2 kV Enhancement, 7-Pin TO-263 C3M0075120J

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 100 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB1,455.40

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB24,254.95

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB25,952.80

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 50 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
การประหยัด
50 - 50THB485.099THB24,254.95-
100 - 150THB470.545THB23,527.25THB1,455.40
200 +THB456.429THB22,821.45THB5,734.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
192-3373
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
C3M0075120J
ผู้ผลิต:
Wolfspeed
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Wolfspeed

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

30A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1.2kV

Package Type

TO-263

Series

C3M

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

75mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

48nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

113.6W

Forward Voltage Vf

4.5V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-8V, 19V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

9.12mm

Height

4.57mm

Length

10.23mm

Automotive Standard

No

Wolfspeed extends its leadership in SiC technology by introducing advanced SiC MOSFET technology in new low inductance discrete packing. The newly released packages allow engineers to take full advantage of the high-frequency capability of the latest C3MTM planar MOSFET chips. Designers can reduce component-count by moving from silicon-based, three-level topologies to simpler two-level topologies made possible by the improved switching performance. This device features low on-resistance combined with a low gate charge, making it ideally suited for three-phase, bridgeless PFC topologies as well as AC-AC converters and chargers.

Minimum of 1200V Vbr across entire operating temperature range

New low-impedance package with driver source

> 7mm of creepage/clearance between drain and source

High-speed switching with low output capacitance

High blocking voltage with low RDS(on)

Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr)

Easy to parallel and simple to drive

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง