Wolfspeed C3M Type N-Channel MOSFET, 30 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247 C3M0075120D

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*

THB15,892.47

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB17,004.93

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 120 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
30 - 30THB529.749THB15,892.47
60 - 90THB513.857THB15,415.71
120 +THB498.441THB14,953.23

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
192-3376
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
C3M0075120D
ผู้ผลิต:
Wolfspeed
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Wolfspeed

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

30A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

C3M

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

75mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

113.6W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

19 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

54nC

Forward Voltage Vf

4.5V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

5.21 mm

Height

21.1mm

Standards/Approvals

No

Length

16.13mm

Automotive Standard

No

Wolfspeed extends its leadership in SiC technology by introducing advanced SiC MOSFET technology. Designers can reduce component-count by moving from silicon-based, three-level topologies to simpler two-level topologies made possible by the improved switching performance. This device features low on-resistance combined with a low gate charge, making it ideally suited for three-phase, bridgeless PFC topologies as well as inverter and charger applications. Download our LTspice models to get started or click here to request more information.

Minimum of 1200V Vbr across entire operating temperature range

High-speed switching with low output capacitance

High blocking voltage with low RDS(on)

Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr)

Easy to parallel and simple to drive

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง