Wolfspeed C3M Type N-Channel MOSFET, 22 A, 1 kV Enhancement, 8-Pin TO-263 C3M0120100J

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB614.57

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB657.59

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 656 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 12THB614.57
13 - 24THB599.24
25 +THB590.02

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
150-3965
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
C3M0120100J
ผู้ผลิต:
Wolfspeed
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Wolfspeed

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

22A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1kV

Series

C3M

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

170mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

9 V

Forward Voltage Vf

4.8V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

21.5nC

Maximum Power Dissipation Pd

83W

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

9.12 mm

Length

10.23mm

Standards/Approvals

No

Height

4.32mm

Automotive Standard

No

Wolfspeed introduces its latest breakthrough in SiC power device technology with the industry’s only 1kV SiC MOSFET in a newly optimized package suitable for fast switching devices. Optimized for electric-vehicle charging systems, and three-phase industrial power supplies, the new 1kV device addresses many power design challenges by providing a unique device with low on-Resistance, very low output capacitance and low source inductance for a perfect blend of low switching losses and low conduction losses.

Minimum of 1kV Vbr across entire operating temperature range

low source inductance package with separate driver source pin

High-speed switching with low output capacitance

High blocking voltage with low RDS(on)

Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr)

Easy to parallel and simple to drive

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง