IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET, 90 A, 850 V Enhancement, 4-Pin SOT-227

RS Stock No.:: 146-4386
Distrelec หมายเลขบทความ:: 302-53-382
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IXFN90N85X
ผู้ผลิต:: IXYS

IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET, 90 A, 850 V Enhancement, 4-Pin SOT-227

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB2,006.94

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB2,147.43

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

สต็อกสุดท้ายของ RS

1 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
10 ชิ้นสุดท้ายส่งจากวันที่ 10 มิถุนายน 2569

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 2	THB2,006.94
3 - 4	THB1,956.76
5 +	THB1,926.67

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 146-4386
Distrelec หมายเลขบทความ:: 302-53-382
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IXFN90N85X
ผู้ผลิต:: IXYS

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	IXYS
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	90A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	850V
	Package Type	SOT-227
	Series	HiperFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	41mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	1.2kW
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Forward Voltage Vf	1.4V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	340nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Length	38.23mm
	Width	25.07 mm
	Height	9.6mm
	Distrelec Product Id	30253382
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand IXYS
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 90A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 850V
	Package Type SOT-227
	Series HiperFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 41mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 1.2kW
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Forward Voltage Vf 1.4V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 340nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Length 38.23mm
	Width 25.07 mm
	Height 9.6mm
	Distrelec Product Id 30253382
	Automotive Standard No

The 850V Ultra-Junction X-Class Power MOSFETs with fast body diodes represent a new power semiconductor product line from IXYS Corporation. These rugged devices display the lowest on-state resistances in the industry, enabling very high power density in high-voltage power conversion applications. Developed using the charge compensation principle and proprietary process technology, the new 850V devices exhibit the lowest on-state resistances (33 milliohm in the SOT-227 package and 41 milliohm in the PLUS264, for instance), along with low gate charges and superior dv/dt performance.

Ultra low on-resistance RDS(ON) and gate charge Qg

Fast body diode

dv/dt ruggedness

Avalanche rated

Low package inductance

International standard packages

IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET, 90 A, 850 V Enhancement, 4-Pin SOT-227

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง