IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET, 24 A, 1 kV Enhancement, 4-Pin SOT-227

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 10 ชิ้น)*

THB17,869.69

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB19,120.57

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 80 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
10 - 10THB1,786.969THB17,869.69
20 - 30THB1,733.361THB17,333.61
40 +THB1,681.36THB16,813.60

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
146-1694
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IXFN24N100
ผู้ผลิต:
IXYS
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

24A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1kV

Series

HiperFET

Package Type

SOT-227

Mount Type

Panel

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

390mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

267nC

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Power Dissipation Pd

568W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

25.42 mm

Height

9.6mm

Length

38.23mm

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Series


MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง