IXYS GigaMOS Trench HiperFET Type N-Channel MOSFET, 360 A, 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN360N10T

RS Stock No.:: 125-8041
Distrelec หมายเลขบทความ:: 302-53-370
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IXFN360N10T
ผู้ผลิต:: IXYS

IXYS GigaMOS Trench HiperFET Type N-Channel MOSFET, 360 A, 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN360N10T

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB876.37

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB937.72

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 24 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
เพิ่มอีก 1,245 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 05 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 2	THB876.37
3 - 4	THB854.45
5 +	THB841.30

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 125-8041
Distrelec หมายเลขบทความ:: 302-53-370
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IXFN360N10T
ผู้ผลิต:: IXYS

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	IXYS
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	360A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	GigaMOS Trench HiperFET
	Package Type	SOT-227
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2.6mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	830W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	525nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	9.6mm
	Standards/Approvals	No
	Width	25.07 mm
	Length	38.23mm
	Distrelec Product Id	30253370
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand IXYS
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 360A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series GigaMOS Trench HiperFET
	Package Type SOT-227
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2.6mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 830W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 525nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 9.6mm
	Standards/Approvals No
	Width 25.07 mm
	Length 38.23mm
	Distrelec Product Id 30253370
	Automotive Standard No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

IXYS GigaMOS Trench HiperFET Type N-Channel MOSFET, 360 A, 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN360N10T

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series

MOSFET Transistors, IXYS

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง