Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 1.8 A, 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- RS Stock No.:
- 166-1014
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSP372NH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*
THB12,056.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB12,900.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | THB12.056 | THB12,056.00 |
| 2000 - 3000 | THB11.694 | THB11,694.00 |
| 4000 + | THB11.343 | THB11,343.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 166-1014
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSP372NH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 1.8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | SOT-223 | |
| Series | OptiMOS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 270mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 9.5nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.8W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.6mm | |
| Length | 6.5mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 1.8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type SOT-223 | ||
Series OptiMOS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 270mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 9.5nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.8W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.6mm | ||
Length 6.5mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon OptiMOS Series MOSFET, 100V Maximum Drain Source Voltage, 1.8W Maximum Power Dissipation - BSP372NH6327XTSA1
This MOSFET is a surface‑mount switching transistor designed for use where compact, high‑voltage N‑channel control is required. It operates across a wide temperature range suitable for demanding environments and is intended for applications that need moderate continuous current with efficient switching behaviour.
Features and Benefits:
• 100V drain‑source capability supports high‑voltage circuits
• 270 mΩ low RDS(on) reduces conduction losses
• 1.8A continuous drain current for steady load handling
• 9.5 nC typical gate charge enables fast drive response
• 1.8W power dissipation manages thermal stress in SOT‑223
• 20V maximum gate drive allows flexible gate‑drive design
• 270 mΩ low RDS(on) reduces conduction losses
• 1.8A continuous drain current for steady load handling
• 9.5 nC typical gate charge enables fast drive response
• 1.8W power dissipation manages thermal stress in SOT‑223
• 20V maximum gate drive allows flexible gate‑drive design
Applications
• Suitable for automotive electronic subsystems requiring rugged parts
• Ideal for DC‑DC converters in compact power modules
• Used with motor drivers needing high‑voltage switching
• Can be used for battery management and charging circuits
• Used for general‑purpose switching in industrial control boards
• Ideal for DC‑DC converters in compact power modules
• Used with motor drivers needing high‑voltage switching
• Can be used for battery management and charging circuits
• Used for general‑purpose switching in industrial control boards
What package allows easy soldering and thermal transfer?
The device is supplied in a SOT‑223 surface‑mount package providing a balance of compact footprint and a larger tab for heat dissipation.
How does it cope with extreme ambient conditions?
It is specified to operate from -55 °C up to 150 °C, covering low‑temperature starts and high‑temperature operating scenarios.
What gate voltage limits should designers observe?
The gate‑to‑source voltage must not exceed ±20V to remain within safe operating bounds.
What type of channel and mode does it use?
It utilises an N‑channel enhancement‑mode topology designed for standard switching and control tasks.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 BSP372NH6327XTSA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 BSP296NH6327XTSA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 BSP295H6327XTSA1
- STMicroelectronics SuperMESH3 Type N-Channel MOSFET 400 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 STN3N40K3
- Vishay IRFL9014 Type P-Channel Power MOSFET -60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 IRFL9014TRPBF
