Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 1.8 A, 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-223

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*

THB12,056.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB12,900.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
1000 - 1000THB12.056THB12,056.00
2000 - 3000THB11.694THB11,694.00
4000 +THB11.343THB11,343.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
166-1014
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BSP372NH6327XTSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

1.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

SOT-223

Series

OptiMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

270mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

9.5nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Power Dissipation Pd

1.8W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

1.6mm

Length

6.5mm

Automotive Standard

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
MY

Infineon OptiMOS Series MOSFET, 100V Maximum Drain Source Voltage, 1.8W Maximum Power Dissipation - BSP372NH6327XTSA1


This MOSFET is a surface‑mount switching transistor designed for use where compact, high‑voltage N‑channel control is required. It operates across a wide temperature range suitable for demanding environments and is intended for applications that need moderate continuous current with efficient switching behaviour.

Features and Benefits:


• 100V drain‑source capability supports high‑voltage circuits
• 270 mΩ low RDS(on) reduces conduction losses
• 1.8A continuous drain current for steady load handling
• 9.5 nC typical gate charge enables fast drive response
• 1.8W power dissipation manages thermal stress in SOT‑223
• 20V maximum gate drive allows flexible gate‑drive design

Applications


• Suitable for automotive electronic subsystems requiring rugged parts
• Ideal for DC‑DC converters in compact power modules
• Used with motor drivers needing high‑voltage switching
• Can be used for battery management and charging circuits
• Used for general‑purpose switching in industrial control boards

What package allows easy soldering and thermal transfer?


The device is supplied in a SOT‑223 surface‑mount package providing a balance of compact footprint and a larger tab for heat dissipation.

How does it cope with extreme ambient conditions?


It is specified to operate from -55 °C up to 150 °C, covering low‑temperature starts and high‑temperature operating scenarios.

What gate voltage limits should designers observe?


The gate‑to‑source voltage must not exceed ±20V to remain within safe operating bounds.

What type of channel and mode does it use?


It utilises an N‑channel enhancement‑mode topology designed for standard switching and control tasks.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง