Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 1.2 A, 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 BSP296NH6327XTSA1

RS Stock No.:: 826-9260
Distrelec หมายเลขบทความ:: 304-44-413
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSP296NH6327XTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 1.2 A, 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 BSP296NH6327XTSA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 50 ชิ้น)*

THB678.75

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB726.25

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 100 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 24 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
เพิ่มอีก 850 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 31 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
เพิ่มอีก 1,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 10 กันยายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
50 - 200	THB13.575	THB678.75
250 - 450	THB13.236	THB661.80
500 +	THB13.032	THB651.60

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 826-9260
Distrelec หมายเลขบทความ:: 304-44-413
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSP296NH6327XTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	1.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	SOT-223
	Series	OptiMOS
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	800mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	4.5nC
	Maximum Power Dissipation Pd	1.8W
	Forward Voltage Vf	0.85V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Height	1.6mm
	Length	6.5mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 1.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type SOT-223
	Series OptiMOS
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 800mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4.5nC
	Maximum Power Dissipation Pd 1.8W
	Forward Voltage Vf 0.85V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Height 1.6mm
	Length 6.5mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Infineon OptiMOS Series MOSFET, 100V Maximum Drain Source Voltage, 1.2A Maximum Continuous Drain Current - BSP296NH6327XTSA1

This MOSFET is a surface-mount power transistor designed for switching and control in automotive and industrial contexts. It operates as an N‑channel enhancement device suitable for applications requiring moderate current handling and high-voltage capability, while withstanding a broad ambient temperature range for demanding environments.

Features and Benefits:

• 100V drain-source rating enables high-voltage switching
• 1.2A continuous drain current supports modest load currents
• 800 mΩ Rds(on) reduces conduction losses under load
• 4.5 nC typical gate charge allows faster switching transitions
• 1.8W maximum power dissipation manages thermal load in compact assemblies
• ±20V gate tolerance supports common gate-drive voltages

Applications

• Suitable for automotive control modules requiring AEC‑Q101 qualification
• Ideal for DC/DC converter stages in compact power supplies
• Used with low-power motor drivers in auxiliary systems
• Can be used for battery management and power distribution tasks
• Useful in switch‑mode regulation for portable and embedded equipment

What package type should I expect for PCB layout considerations?

It is supplied in a SOT‑223 surface‑mount package with four pins, allowing single‑sided thermal conduction and straightforward through‑board footprint integration.

How does thermal performance behave at elevated temperatures?

The device is rated to operate across a wide range from -55 °C to 150 °C, with power dissipation limited to 1.8W to prevent thermal overstress under continuous operation.

What gate‑drive constraints must be observed during design?

The maximum allowable gate‑source voltage is 20V, so gate drivers should be configured to avoid exceeding this level to protect the gate oxide.

Which parameter most affects switching efficiency in fast PWM applications?

The typical gate charge of 4.5 nC directly influences switching losses and drive‑energy requirements during rapid state changes.