Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 1.2 A, 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-223

RS Stock No.:: 124-8756
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSP296NH6327XTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 1.2 A, 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-223

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*

THB13,804.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB14,770.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 1,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
1000 - 1000	THB13.804	THB13,804.00
2000 - 3000	THB13.389	THB13,389.00
4000 +	THB12.988	THB12,988.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 124-8756
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSP296NH6327XTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	1.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	OptiMOS
	Package Type	SOT-223
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	800mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	4.5nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	1.8W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	0.85V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	6.5mm
	Height	1.6mm
	Standards/Approvals	No
	Width	3.5 mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 1.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series OptiMOS
	Package Type SOT-223
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 800mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4.5nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 1.8W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf 0.85V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 6.5mm
	Height 1.6mm
	Standards/Approvals No
	Width 3.5 mm
	Automotive Standard AEC-Q101

COO (Country of Origin):: CN

Infineon OptiMOS™ Small Signal MOSFETs

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 1.2 A, 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-223

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

Infineon OptiMOS™ Small Signal MOSFETs

MOSFET Transistors, Infineon

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง