Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 1.8 A, 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 BSP372NH6327XTSA1

RS Stock No.:: 110-7754
Distrelec หมายเลขบทความ:: 304-36-977
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSP372NH6327XTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 1.8 A, 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 BSP372NH6327XTSA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 50 ชิ้น)*

THB1,033.95

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,106.35

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 800 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 24 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
50 - 200	THB20.679	THB1,033.95
250 - 450	THB20.162	THB1,008.10
500 +	THB19.852	THB992.60

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 110-7754
Distrelec หมายเลขบทความ:: 304-36-977
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSP372NH6327XTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	1.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	OptiMOS
	Package Type	SOT-223
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	270mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Maximum Power Dissipation Pd	1.8W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	9.5nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.6mm
	Length	6.5mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 1.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series OptiMOS
	Package Type SOT-223
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 270mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Maximum Power Dissipation Pd 1.8W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 9.5nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.6mm
	Length 6.5mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard AEC-Q101

Infineon OptiMOS Series MOSFET, 100V Maximum Drain Source Voltage, 1.8W Maximum Power Dissipation - BSP372NH6327XTSA1

This MOSFET is a surface‑mount switching transistor designed for use where compact, high‑voltage N‑channel control is required. It operates across a wide temperature range suitable for demanding environments and is intended for applications that need moderate continuous current with efficient switching behaviour.

Features and Benefits:

• 100V drain‑source capability supports high‑voltage circuits
• 270 mΩ low RDS(on) reduces conduction losses
• 1.8A continuous drain current for steady load handling
• 9.5 nC typical gate charge enables fast drive response
• 1.8W power dissipation manages thermal stress in SOT‑223
• 20V maximum gate drive allows flexible gate‑drive design

Applications

• Suitable for automotive electronic subsystems requiring rugged parts
• Ideal for DC‑DC converters in compact power modules
• Used with motor drivers needing high‑voltage switching
• Can be used for battery management and charging circuits
• Used for general‑purpose switching in industrial control boards

What package allows easy soldering and thermal transfer?

The device is supplied in a SOT‑223 surface‑mount package providing a balance of compact footprint and a larger tab for heat dissipation.

How does it cope with extreme ambient conditions?

It is specified to operate from -55 °C up to 150 °C, covering low‑temperature starts and high‑temperature operating scenarios.

What gate voltage limits should designers observe?

The gate‑to‑source voltage must not exceed ±20V to remain within safe operating bounds.

What type of channel and mode does it use?

It utilises an N‑channel enhancement‑mode topology designed for standard switching and control tasks.