Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 1.8 A, 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 BSP372NH6327XTSA1
- RS Stock No.:
- 110-7754
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSP372NH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 50 ชิ้น)*
THB919.70
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB984.10
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 950 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | THB18.394 | THB919.70 |
| 250 - 450 | THB17.934 | THB896.70 |
| 500 + | THB17.658 | THB882.90 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 110-7754
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSP372NH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 1.8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | SOT-223 | |
| Series | OptiMOS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 270mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 9.5nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.8W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 6.5mm | |
| Height | 1.6mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 3.5 mm | |
| Distrelec Product Id | 304-36-977 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 1.8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type SOT-223 | ||
Series OptiMOS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 270mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 9.5nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.8W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 6.5mm | ||
Height 1.6mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 3.5 mm | ||
Distrelec Product Id 304-36-977 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS™ Small Signal MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 BSP296NH6327XTSA1
- Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 BSP295H6327XTSA1
- STMicroelectronics SuperMESH3 Type N-Channel MOSFET 400 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 STN3N40K3
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 BSP603S2LHUMA1