Vishay SiR416DP Type N-Channel MOSFET, 27 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- RS Stock No.:
- 165-7265
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIR416DP-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB115,854.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB123,963.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 29 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB38.618 | THB115,854.00 |
| 6000 - 9000 | THB37.46 | THB112,380.00 |
| 12000 + | THB36.336 | THB109,008.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 165-7265
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIR416DP-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 27A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | SiR416DP | |
| Package Type | SO-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.2mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 59nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 69W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 0.7V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 1.12mm | |
| Length | 6.25mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 5.26 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 27A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series SiR416DP | ||
Package Type SO-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.2mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 59nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 69W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 0.7V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 1.12mm | ||
Length 6.25mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 5.26 mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SiR416DP Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR416DP-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISS23DN-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 4-Pin SO-8
- Vishay SiRA74DP Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay SIHR Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 8-Pin 8x8LR
- Vishay ThunderFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- Vishay Si4134DY Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC
