Vishay SiR416DP N-Channel MOSFET, 27 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR416DP-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
RS Stock No.:
165-7265
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIR416DP-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

27A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

SO-8

Series

SiR416DP

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.2mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

700mV

Maximum Power Dissipation Pd

69W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-20V, +20V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

59nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

5.26mm

Length

6.25mm

Standards/Approvals

No

Height

1.12mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง