N-Channel MOSFET, 27 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIR416DP-T1-GE3

RS Stock No.:: 814-1272
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIR416DP-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

N-Channel MOSFET, 27 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIR416DP-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each: (In a Pack of 10)**

THB36.867

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB39.448

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

สินค้าหมดชั่วคราว (Temporarily out of stock) - จะเป็นแบ๊คออเดอร์จัดส่ง (back order for despatch) 19/04/2025, จัดส่งภายใน (delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Units	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค**
10 - 740	THB36.867	THB368.67
750 - 1490	THB35.945	THB359.45
1500 +	THB35.391	THB353.91

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 814-1272
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIR416DP-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	27 A
Maximum Drain Source Voltage	40 V
Package Type	PowerPAK SO-8
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	8
Maximum Drain Source Resistance	4.2 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage	1.2V
Maximum Power Dissipation	69 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Number of Elements per Chip	1
Transistor Material	Si
Width	5.26mm
Length	6.25mm
Typical Gate Charge @ Vgs	59 nC @ 10 V
Height	1.12mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C

N-Channel MOSFET, 27 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIR416DP-T1-GE3

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง