Vishay SiR416DP Type N-Channel MOSFET, 27 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR416DP-T1-GE3

RS Stock No.:: 814-1272
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIR416DP-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay SiR416DP Type N-Channel MOSFET, 27 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR416DP-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB394.46

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB422.07

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 740	THB39.446	THB394.46
750 - 1490	THB38.46	THB384.60
1500 +	THB37.867	THB378.67

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 814-1272
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIR416DP-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	27A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	SO-8
	Series	SiR416DP
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	4.2mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	0.7V
	Maximum Power Dissipation Pd	69W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	59nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	5.26 mm
	Height	1.12mm
	Standards/Approvals	No
	Length	6.25mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 27A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type SO-8
	Series SiR416DP
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 4.2mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 0.7V
	Maximum Power Dissipation Pd 69W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 59nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 5.26 mm
	Height 1.12mm
	Standards/Approvals No
	Length 6.25mm
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: CN

Vishay SiR416DP Type N-Channel MOSFET, 27 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR416DP-T1-GE3

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง